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J-GLOBAL ID：202002225980475495   整理番号：20A1039041

超伝導体と近接性結合した1次元AIIIクラストポロジカル絶縁体(ナノワイヤ)におけるトンネリング効果の理論

Theory of Tunneling Effect in 1D AIII-class Topological Insulator (Nanowire) Proximity Coupled with a Superconductor

著者 (3件)： OHASHI Ryoi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANAKA Yukio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YADA Keiji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 89  号： 5  ページ： 054701.1-054701.7  発行年： 2020年05月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3個の相が整数トポロジカル不変量Nにより特徴付けられるスピン一重項s波超伝導体と近接性結合したAIIIクラス絶縁体近接のトンネリング効果を調べた。Bogoliubov-de Gennes方程式を陽に解いて,垂直反射係数R_σσ′とAndreev反射係数A_σσ′を解析的に求め,電荷コンダクタンスの表式を導いた,ここで,σ(σ′)は反射(注入)波のスピン指数である。得られたコンダクタンスは広範囲の線形を示す。(i)N=0に対してコヒーレンスピークがないギャップ構造,(ii)N=1に対する高さ2e²/hの量子化零バイアスコンダクタンスピーク(ZBCP),(iii)N=2に対するZBCP。零バイアス電圧eV=0において,Σ_σσ′R_σσ′=Σ_σσ′A_σσ′が満たされ,注入電子のスピン方向はN=1状態に対して約90°回転した。一方,A_σσ′=0はN=2状態で満たされ,スピン回転角は180°になる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 超伝導体 ,  *超伝導接合 ,  近接効果 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  ナノワイヤ ,  *トンネル効果 ,  不変量 ,  方程式 ,  コンダクタンス ,  s波超伝導体 ,  トポロジカル不変量 ,  BdG方程式
準シソーラス用語： Bogoliubov-de Gennes方程式 ,  表面Andreev束縛状態

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

引用文献 (39件)：

• G. E. Blonder, M. Tinkham, and T. Klapwijk, Phys. Rev. B 25, 4515 (1982).
• Y. Tanaka and S. Kashiwaya, Phys. Rev. Lett. 74, 3451 (1995).
• Y. Tanaka and S. Kashiwaya, Phys. Rev. B 53, 9371 (1996).
• S. Kashiwaya, Y. Tanaka, M. Koyanagi, H. Takashima, and K. Kajimura, Phys. Rev. B 51, 1350 (1995).
• S. Kashiwaya, Y. Tanaka, N. Terada, M. Koyanagi, S. Ueno, L. Alff, H. Takashima, Y. Tanuma, and K. Kajimura, J. Phys. Chem. Solids 59, 2034 (1998).

タイトルに関連する用語 (7件)： 近接性 ,  1次元 ,  クラス ,  トポロジカル絶縁体 ,  ナノワイヤ ,  トンネリング ,  理論