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J-GLOBAL ID:202002226308710269   整理番号:20A0489437

高輝度青色InP量子ドットに基づくエレクトロルミネセンス素子:シェル厚みの役割【JST・京大機械翻訳】

High-Brightness Blue InP Quantum Dot-Based Electroluminescent Devices: The Role of Shell Thickness
著者 (10件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 960-967  発行年: 2020年 
JST資料番号: W3687A  ISSN: 1948-7185  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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InP量子ドット(QD)は,ディスプレイと照明の応用におけるCdまたはPbベースのQDの最も有望な候補の一つと考えられている。しかしながら,青色InP QDと対応する発光素子(LED)の性能は,それらの赤色と緑色の対応物の性能よりはるかに劣っている。これは,InP QDベースのLED(QLED)技術の開発を強く制限する。ここでは,厚いシェルを有する高い量子収率(~81%)および大きなサイズ(~7.0±0.9nm)InP/GaP/ZnS/ZnS QDを,シェルエンジニアリングアプローチにより合成することに成功し,対応するQLEDは,それぞれ,3120cd m-2および1.01%の記録輝度および外部量子効率を示した。原子間QDに関する大規模密度汎関数理論計算は,厚いシェルがQD膜におけるよりバランスのとれたキャリア注入を支持し,密接に充填されたQD間のFRETを同時に抑制することを示した。これは,改善された青色素子性能に全体的に寄与する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
核酸一般  ,  電子構造一般  ,  非線形光学  ,  太陽電池  ,  固体デバイス材料 

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