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J-GLOBAL ID:202002226449158976   整理番号:20A0598417

垂直ナノワイヤ成長中の時間分解RHEEDの定量分析【JST・京大機械翻訳】

Quantitative analysis of time-resolved RHEED during growth of vertical nanowires
著者 (6件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 5471-5482  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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垂直,自立ナノワイヤ(NW)の成長中に測定された時間分解反射高エネルギー電子回折(RHEED)強度パターンの定量的評価のためのアプローチを提示した。この方法は,個々のナノワイヤ内の吸収と消光による減衰によるシャドウイングを考慮し,ナノワイヤアンサンブルのRHEED信号に及ぼすその影響の時間依存性を,装置のRHEEDパラメータの関数として,ナノワイヤ集合上で平均化した成長動力学を推定した。開発したRHEEDシミュレーションモデルは,軸方向成長,テーパ化とファセット成長による半径方向成長,基板上での寄生相互成長のような本質的な成長面に関連したナノワイヤ構造の進展を考慮した。また,NW密度の影響も考慮し,強度パターンの時間依存解釈に対する敏感なパラメータであることを示した。最後に,自己触媒GaAsナノワイヤの分子線エピタクシー(MBE)中に得られた実験データを評価することにより,応用の可能性を実証した。電子シャドウイングが成長NWの上部における結晶構造発展の時間分解解析を可能にすることを実証した。このアプローチは,標準的な成長条件下での成長前面領域におけるナノワイヤ集合体におけるポリタイプの成長動力学を研究するための直接的なアクセスを提供する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (4件):
分類
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半導体薄膜  ,  コロイド化学一般  ,  炭素とその化合物  ,  無機化合物一般及び元素 

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