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J-GLOBAL ID：202002226476075102   整理番号：20A0692709

RF反応性マグネトロンスパッタリングにより成長させたZAO薄膜の光電的性質を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Preparation and Optical Electrical Properties of ZAO Thin Film by Reaction RF Magnetron Sputtering

著者 (5件)： Xu Fei (華東理工大学理学院,上海,200237) ,  Zhu Jiangzhuan (華東理工大学理学院,上海,200237) ,  Lu Hui (華東理工大学理学院,上海,200237) ,  Luo Duanbin (華東理工大学理学院,上海,200237) ,  Xie Haifen (華東理工大学理学院,上海,200237)
資料名： Shiyanshi Yanjiu yu Tansuo  (Shiyanshi Yanjiu yu Tansuo)
巻： 38  号： 11  ページ： 46-50  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1514A  ISSN： 1006-7167  CODEN： SYYTAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： AlドープZnO薄膜(ZAO)をRF反応性マグネトロンスパッタリングにより調製し,ZAO膜の光電特性を研究した。結果は,膜抵抗が,主に粒界抵抗によって決定され,そして,電気伝導率は,Ar:O2中のO2含有量の増加とともに減少した。薄膜は強い紫外吸収特性を有し、バンドギャップは3.3eVを超え、可視光領域の透明性は80%以上であり、透過率とEgはAr:O2中のO2含有量の増加に伴い増加し、薄膜は紫光領域で強い光ルミネセンス特性を持ち、アルミニウムドープにより発光ピークが増強され青方偏移した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 透過率 ,  *薄膜 ,  ドーピング ,  発光 ,  バンドギャップ ,  結晶粒界 ,  光ルミネセンス ,  電気伝導率 ,  アルミニウム
準シソーラス用語： 可視領域 ,  紫外吸収 ,  膜抵抗 ,  光電特性 ,  *光電気 ,  *反応性マグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  成長 ,  薄膜 ,  光電 ,  性質