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J-GLOBAL ID:202002226508250557   整理番号:20A0144364

NBS_2:二次元材料の有望なp型Ohm接触【JST・京大機械翻訳】

NbS2: A Promising p-Type Ohmic Contact for Two-Dimensional Materials
著者 (9件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 064061  発行年: 2019年 
JST資料番号: W3691A  ISSN: 2331-7019  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二次元(2D)に基づくエレクトロニクスに対するOhm接触を達成することは重要であるが挑戦的である。第一原理計算により,[数式:原文を参照]単分子層が2D材料のp型Ohm接触に対する優れた電極であることを予測した。双極子解析はvan der Waals界面相互作用と高い電極仕事関数が[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]に対するOhm接触を維持するための非対称双極子補償に重要であることを示し,両ヘテロ構造に対するp型Ohm接触は非常に大きな電場(7V/nm)までのゲートに依存せず,素子応用に対して良好な安定性を示唆した。著者らの研究は,将来の2Dナノエレクトロニクスのための安定なp型Ohm接触を実現するための実用的な戦略を提供する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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半導体薄膜  ,  固体デバイス一般  ,  界面の電気的性質一般  ,  原子・分子のクラスタ 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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