Ding Xiang について
School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について
Zhang Sa について
School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について
Zhao Mei について
School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について
Xiang Yang について
School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について
Zhang Kelvin H.L. について
State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China について
Zu Xiaotao について
School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について
Li Sean について
School of Materials, University of New South Wales, Sydney, 2052 NSW, Australia について
Qiao Liang について
School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について
Qiao Liang について
School of Materials, University of New South Wales, Sydney, 2052 NSW, Australia について
Physical Review Applied について
電場 について
Ohm接触 について
二次元 について
単分子層 について
双極子 について
仕事関数 について
電子技術 について
非対称性 について
ナノエレクトロニクス について
ヘテロ構造 について
界面相互作用 について
第一原理計算 について
二次元材料 について
半導体薄膜 について
固体デバイス一般 について
界面の電気的性質一般 について
原子・分子のクラスタ について
二次元材料 について
Ohm接触 について