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J-GLOBAL ID：202002226732565829   整理番号：20A1336133

溶媒アニールによるMAPbI₃ペロブスカイト結晶性及び太陽電池特性影響

著者 (3件)： 浅山宗嵩 (高知工科大 環境理工学群) ,  古田守 (高知工科大 環境理工学群) ,  古田守 (高知工科大 総合研 ナノテクノロジー研究セ)
資料名： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
巻： 2019  ページ： 113  発行年： 2019年07月21日 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景概要】MAPbI3ペロブスカイト(PVK)太陽電池は光吸収を行うPVK層をn型及びp型半導体で挟んだ構造を有している。PVK層のピンホールや結晶粒界は励起状態の電子と正孔が再結合する原因となるため高効率PVK太陽電池実現の妨げとなる。...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶成長 ,  結晶粒界 ,  再結合 ,  *焼なまし ,  *太陽電池 ,  半導体 ,  光吸収 ,  *結晶 ,  窒素 ,  酸化チタン ,  前駆体 ,  自己組織化 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  カソード
準シソーラス用語： 薄膜形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶媒 ,  アニール ,  ペロブスカイト ,  結晶性 ,  太陽電池