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J-GLOBAL ID：202002227112397997   整理番号：20A1784128

半導体および金属特性をもつ新しいSi-C化合物:DFT研究【JST・京大機械翻訳】

Novel Si-C compounds with semiconducting and metallic properties: A DFT study

著者 (4件)： Matos A.B. (Programa de Pos-Graduacao em Engenharia de Telecomunicacoees (PPGET), Instituto Federal de Educacao, Ciencia e Tecnologia do Ceara, Campus Fortaleza, 60040-531, Fortaleza, CE, Brazil) ,  Freire V.N. (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Ceara, Caixa Postal 6030, 60440-900, Fortaleza, CE, Brazil) ,  Caetano E.W.S. (Programa de Pos-Graduacao em Engenharia de Telecomunicacoees (PPGET), Instituto Federal de Educacao, Ciencia e Tecnologia do Ceara, Campus Fortaleza, 60040-531, Fortaleza, CE, Brazil) ,  Caetano E.W.S. (Departamento de Fisica e Matematica, Instituto Federal de Educacao, Ciencia e Tecnologia do Ceara, Campus Fortaleza, 60040-531, Fortaleza, CE, Brazil)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 183  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学式hSi_6-xC_x(x=1,2,6)を有する一連の新しいシリコン-炭素合金を提案した。最適化した形状の構造安定性を異なる方法を用いて評価し,安定な結晶の機械的(弾性定数),電子(Kohn-Shamバンド構造,部分状態密度,キャリア有効質量)および光学的性質をGGA-PBEおよびハイブリッドHSE06交換相関汎関数を用いて得た。特に,hC_6結晶は3.29eV(近紫外)の広い直接バンドギャップを示し,同等の弾性定数を有するダイヤモンド(5.5eV)のバンドギャップよりも小さく,0.43~2.42eV(赤外から緑色光)のエネルギー範囲をカバーする他の直接/近直接ギャップhSi_6-xC_x合金と共に,オプトエレクトロニクス応用に対して潜在的に有用である。驚くべきことに,理論計算はhSi_3C_3化合物の一つに対する金属特性を予測する。1つは,これらの材料の組み合わせを用いて,近赤外と近紫外波長の間の全範囲をカバーする発光素子を,また電荷輸送応用に適用できると推測できる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 合金 ,  最適化 ,  赤外線 ,  弾性係数 ,  *半導体 ,  ダイヤモンド ,  炭素 ,  汎関数 ,  近赤外線 ,  近紫外線 ,  オプトエレクトロニクス ,  有効質量 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 炭素系化合物 ,  ab initio結晶設計 ,  DFT計算 ,  オプトエレクトロニクス特性 ,  半導体 ,  金属

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属特性 ,  Si ,  DFT ,  研究