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J-GLOBAL ID：202002227313096235   整理番号：20A0573173

単分子層遷移金属ジカルコゲナイドにおける電場誘起構造動力学の直接可視化【JST・京大機械翻訳】

Direct Visualization of Electric-Field-Induced Structural Dynamics in Monolayer Transition Metal Dichalcogenides

著者 (11件)： Murthy Akshay A. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Murthy Akshay A. (International Institute for Nanotechnology (IIN), Northwestern University) ,  Stanev Teodor K. (Department of Physics and Astronomy, Northwestern University) ,  dos Reis Roberto (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  dos Reis Roberto (Northwestern University Atomic and Nanoscale Characterization Experimental (NUANCE) Center, Northwestern University) ,  Hao Shiqiang (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Wolverton Christopher (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Stern Nathaniel P. (Department of Physics and Astronomy, Northwestern University) ,  Dravid Vinayak P. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Dravid Vinayak P. (International Institute for Nanotechnology (IIN), Northwestern University) ,  Dravid Vinayak P. (Northwestern University Atomic and Nanoscale Characterization Experimental (NUANCE) Center, Northwestern University)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 14  号： 2  ページ： 1569-1576  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状遷移金属ジカルコゲニドは次世代低次元素子構造に対して多くの魅力的な特徴を提供する。その場法に関連する実用的な製造課題により,現実的な巨視的デバイス特性をもたらす原子論的動力学はしばしば不明確である。本研究では,電気バイアス下での単層MoS_2のプロトタイプ膜における,特に界面と欠陥における構造動力学を理解するために,その場透過型電子顕微鏡法を利用した。試料作製過程を通して,横電場の存在下での物質輸送の存在を明確に同定した。特に,結晶粒界に存在するボイドが構造変形を誘起することを観察した。電場は,粒子境界内部から露出した表面エッジサイトへの正味の空格子点フラックスを仲介する。しかし,初期バイアスサイクルに続いて,質量流は大きく減少し,結果としての構造は反復バイアスにわたって安定に保たれた。本研究からの洞察は,これらの材料の粒界サイトでの不均一加熱と優先酸化の観察を説明する助けとなる。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単分子層 ,  バイアス ,  プロトタイプ ,  電子顕微鏡 ,  単一層 ,  エレクトロトランスポート ,  *可視化 ,  電子顕微鏡観察 ,  結晶粒界 ,  素子構造 ,  試料調製 ,  *電場 ,  物質移動 ,  界面
準シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡法 ,  デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： その場電子顕微鏡 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  粒界 ,  MOS_2 ,  電気輸送

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  核酸一般  (EB04010U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単分子層 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  電場 ,  誘起 ,  構造動力学 ,  可視化