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J-GLOBAL ID：202002227381950719   整理番号：20A1921621

2D単層MoS_2の有望なオプトエレクトロニクス応答:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Promising optoelectronic response of 2D monolayer MoS₂: A first principles study

著者 (8件)： Rai D.P. (Division of Computational Physics, Institute for Computational Science, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Rai D.P. (Faculty of Electrical and Electronics Engineering, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Vu Tuan V. (Division of Computational Physics, Institute for Computational Science, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Vu Tuan V. (Faculty of Electrical and Electronics Engineering, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Viet Nam) ,  Laref Amel (Department of Physics, College of Science, King Saud University, Riyadh, Saudi Arabia) ,  Joshi H. (Department of Physics, Mizoram Univerity, Aizawl 796009, India) ,  Joshi H. (Department of Physics, St. Joseph’s College, North Point, Darjeeling, India) ,  Patra P.K. (Department of Physics, North-Eastern Hill University (NEHU), Shillong, India)
資料名： Chemical Physics  (Chemical Physics)
巻： 538  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0167B  ISSN： 0301-0104  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最初に,1H-MoS_2と呼ばれる六方晶ケージの中心に原子が存在しないので,MoS_2の2つの構造を考察し,六方晶ケージの中心に原子が存在する第二のものは1T-MoS_2である。密度汎関数理論(DFT)の枠組み内で一般化勾配近似(GGA)と修正Becke Johnson(mBJ)を用いた計算を開始した。興味深いことに,GGAとmBJの両方がバンドギャップの同じ低い値を与えた。したがって,LCAO-DFT手法の中で,Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE)およびBecke-Lee-Yang-Par(BLYP)のような計算的に高価なハイブリッド汎関数により,更なる計算が進行した。HSEからのバンドギャップの計算値は,GW法からの以前に報告されたバンドギャップと比較して2.35eVであることが分かった。しかし,BLYP法で計算した直接バンドギャップは1.83eVであり,これは実験結果のいくつかと一致した。UV-vis範囲でのK-K対称性に沿った直接バンドギャップの存在は,1H-MoS_2がオプトエレクトロニクス応用の有力な候補であると予測した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 対称性 ,  光吸収 ,  *オプトエレクトロニクス ,  六方晶系 ,  *二次元 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  第一原理
準シソーラス用語： GW近似 ,  ケージ ,  一般化勾配近似 ,  計算値 ,  BLYP ,  ハイブリッド汎関数 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GGA ,  mBJ ,  バンド構造 ,  光吸収 ,  損失関数

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 2D ,  単層 ,  オプトエレクトロニクス ,  応答 ,  第一原理 ,  研究