文献

J-GLOBAL ID：202002227634007134   整理番号：20A2120686

層状反強磁性絶縁体[数式:原文を参照]/強磁性体二重層における大きな界面スピン-軌道トルク【JST・京大機械翻訳】

Large interfacial spin-orbit torques in layered antiferromagnetic insulator [Formula : see text]/ferromagnet bilayers

著者 (4件)： Schippers C. F. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB, Eindhoven, the Netherlands) ,  Swagten H. J. M. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB, Eindhoven, the Netherlands) ,  Guimaraes M. H. D. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB, Eindhoven, the Netherlands) ,  Guimaraes M. H. D. (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, P.O. Box 221, 9747 AG, Groningen, the Netherlands)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 4  号： 8  ページ： 084007  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気ビットを操作する効率的方法を見つけることは,スピントロニクス研究におけるコア目標の1つである。電気的に生成されたスピン-軌道トルク(SOTs)は,このための良い候補であり,高効率SOTsを生成することができる材料の探索は,近年,多くの牽引を得ている。反強磁性体/強磁性体二層構造は,例えば交換バイアス場を用いて,受動応用に対して広く採用されているが,それらの活性特性は,まだ広く採用されていない。ここでは,強磁性体と二次元層状反強磁性絶縁体[数式:原文を参照]の二分子層における大きな界面SOTsの存在を示した。大きな面内減衰様界面トルクを観測し,室温でも[数式:原文を参照]のトルク伝導率を示し,標準重金属ベースおよびトポロジー絶縁体ベースデバイスに関する文献で報告された最良のデバイスに匹敵する。さらに,著者らのデバイスは,[数式:原文を参照]/強磁性体界面から生じる面外場様トルクも示し,さらに,この構造における界面スピン-軌道結合の存在を示した。温度依存測定は,[数式:原文を参照]([数式:原文を参照])のNeel温度以下で温度低下に伴うSOTsの増加を明らかにし,測定したSOTに対する磁気秩序の可能な影響を指摘した。著者らの知見は,将来のスピントロニクス応用のための反強磁性絶縁体と二次元材料の可能性を示す。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Neel温度 ,  *界面 ,  *強磁性体 ,  反強磁性体 ,  *トルク ,  重金属 ,  二分子層 ,  温度依存性 ,  磁気 ,  二次元 ,  磁気秩序 ,  外場 ,  スピントロニクス ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *反強磁性絶縁体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  原子の電子構造  (BH02010V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 層状 ,  反強磁性絶縁体 ,  数式 ,  参照 ,  強磁性体 ,  重層 ,  界面 ,  スピン-軌道トルク