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J-GLOBAL ID：202002227810820608   整理番号：20A2217174

異なるNiFe厚みを持つスピンピン止めNiFe/FeMn/NiFe不均一多層膜の磁気特性研究【JST・京大機械翻訳】

Magnetic properties study of spin pinned NiFe/FeMn/NiFe heterogeneous multilayer films with different NiFe thicknesses

著者 (7件)： Liu Yu (School of Materials and Energy, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Lan Zhongwen (School of Materials and Energy, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Yu Zhong (School of Materials and Energy, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Guo Rongdi (School of Materials and Energy, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Jiang Xiaona (School of Materials and Energy, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wu Chuanjian (School of Materials and Energy, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Sun Ke (School of Materials and Energy, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 126  号： 10  ページ： 792  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高飽和磁化(4πM_s),低保磁力(H_c)及び低強磁性共鳴(FMR)線幅(ΔH)を有するFM(強磁性)/AF(反強磁性)不均一多層膜はマイクロ波/ミリ波デバイスにおいて大きな応用展望を持つ。本研究では,Ni_81Fe_19(tnm)/Fe_50Mn_50(15nm)/Ni_81Fe_19(tnm)膜をDCマグネトロンスパッタリングにより作製し,Ni_81Fe_19の厚さが微細構造,静的磁気特性およびマイクロ波特性に及ぼす影響を調べた。Ni_81Fe_19膜の厚みの増加とともに,飽和磁化は658から754emu/m3に増加した。面内および面外保磁力は最初減少し,次に増加し,ΔHは最初に減少し,次に193から95Oeまで上昇した。Ni-Fe膜の厚さが50nmのとき,負の交換バイアスから正の交換バイアスへの面外交換バイアス場の遷移が生じた。注目すべきことに,50nmのNi_81Fe_19膜で,多層膜は,高い飽和磁化(4πM_s,722emu/m3),低い面内保磁力(H_c,0.61Oe)と低いFMR線幅(ΔH,95Oe)で優れた性能を達成した。顕著な不均一多層膜はマイクロ波/ミリ波デバイスで大きなポテンシャルを示した。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  強磁性共鳴 ,  保磁力 ,  反強磁性 ,  飽和磁化 ,  マイクロ波 ,  *磁気的性質 ,  *多層膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *ピン止め
準シソーラス用語： 交換バイアス ,  線幅 ,  ミリ波デバイス ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  マイクロ波特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Nife/Femn/NiFe三層 ,  マグネトロンスパッタリング ,  表面形態 ,  強磁性共鳴

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 厚み ,  スピン ,  ピン止め ,  不均一 ,  多層膜 ,  磁気特性 ,  研究