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J-GLOBAL ID：202002227811906872   整理番号：20A1189522

単斜晶系β-Ga_2O_3基板上に形成した立方晶NiO薄膜の結晶方位【JST・京大機械翻訳】

Crystal Orientation of Cubic NiO Thin Films Formed on Monoclinic β-Ga₂O₃ Substrates

著者 (3件)： Nakagomi Shinji (Department of Information Technology and Electronics, Faculty of Science and Engineering, Ishinomaki Senshu University, Ishinomaki, Miyagi, 986-8580, Japan) ,  Yasuda Takashi (Department of Information Technology and Electronics, Faculty of Science and Engineering, Ishinomaki Senshu University, Ishinomaki, Miyagi, 986-8580, Japan) ,  Kokubun Yoshihiro (Department of Information Technology and Electronics, Faculty of Science and Engineering, Ishinomaki Senshu University, Ishinomaki, Miyagi, 986-8580, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 257  号： 5  ページ： e1900669  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [数式:原文を参照],(010),および(001)β-Ga_2O_3基板上に形成されたNiO薄膜中の立方晶NiOと単斜晶β-Ga_2O_3の間の結晶方位関係を,X線回折分析と断面透過型電子顕微鏡画像によって研究した。[数式:原文を参照]と(010)β-Ga_2O_3基板上に形成されたNiO膜は,それぞれ配向関係NiO(111)[[数式:原文を参照]]//β-Ga_2O_3[数式:原文を参照][010]とNiO[数式:原文を参照][[数式:原文を参照]]/β-Ga_2O_3(010)[001]を満たした。(001)β-Ga_2O_3基板上のNiO膜において,NiO面(133)はNiO[[数式:原文を参照]]//β-Ga_2O_3[010]の下でβ-Ga_2O_3の(001)面に平行である。さらに,NiO膜は,それぞれの場合にNiO(100)//β-Ga_2O_3(100)の関係を満たした。すなわち,[数式:原文を参照],(010)及び(001)β-Ga_2O_3基板の各ケースに対して,NiO(100)[011]//β-Ga_2O_3(100)[001]の関係を確認し,(100)β-Ga_2O_3基板上のNiO膜に対して以前に報告された配向関係と一致した。結晶方位関係をNiOとβ-Ga_2O_3の原子配列モデルの観点から議論した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  *結晶方位 ,  X線回折分析 ,  酸化ガリウム ,  *単斜晶系 ,  *立方晶系
準シソーラス用語： 原子配列 ,  結晶方位関係 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子配列 ,  結晶方位 ,  NiO ,  β-Ga2O3

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単斜晶系 ,  立方晶 ,  薄膜 ,  結晶方位