文献
J-GLOBAL ID：202002228151884869   整理番号：20A0917836

GaNオンダイヤモンドHEMTの温度依存小信号性能【JST・京大機械翻訳】

Temperature-dependent small signal performance of GaN-on-diamond HEMTs
著者 (8件)：
Chen Yongbo

Chen Yongbo について

(School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)

School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について

, 
Xu Yuehang

Xu Yuehang について

(School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)

School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について

, 
Zhou Jianjun

Zhou Jianjun について

(Key Laboratory of Integrated Circuits, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China)

Key Laboratory of Integrated Circuits, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China について

, 
Kong Yuechan

Kong Yuechan について

(Key Laboratory of Integrated Circuits, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China)

Key Laboratory of Integrated Circuits, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China について

, 
Chen Tangsheng

Chen Tangsheng について

(Key Laboratory of Integrated Circuits, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China)

Key Laboratory of Integrated Circuits, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China について

, 
Zhang Yong

Zhang Yong について

(School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)

School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について

, 
Yan Bo

Yan Bo について

(School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)

School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について

, 
Xu Ruimin

Xu Ruimin について

(School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)

School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について


資料名：
International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields  (International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields)

International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields について


巻： 33  号： 3  ページ： e2620  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0597A  ISSN： 0894-3370  CODEN： IJNFEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本論文は,0°Cから125°Cまでの周囲温度範囲におけるGaN-on-ダイヤモンド高電子移動度トランジスタ(HEMT)の小信号性能の温度依存性を提示した。固有パラメータと共に寄生抵抗に及ぼす温度の影響を調べ,これらのパラメータの温度係数を測定データから抽出した。比較のため,GaN-on-SiCデバイスも調べた。これらの結果はGaN-on-ダイヤモンドHEMT技術の開発と応用に重要である。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
*ダイヤモンド

ダイヤモンド について

, 
炭化ケイ素

炭化ケイ素 について

, 
*温度依存性

温度依存性 について

, 
*窒化ガリウム

窒化ガリウム について

, 
*HEMT

HEMT について

, 
温度係数

温度係数 について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
寄生抵抗

寄生抵抗 について

, 
周囲温度

周囲温度 について

, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件)：
ダイヤモンドオンダイヤモンド

ダイヤモンドオンダイヤモンド について

, 
高電子移動度トランジスタ(HEMT)

高電子移動度トランジスタ(HEMT) について

, 
小信号パラメータ

小信号パラメータ について

, 
温度依存性

温度依存性 について

分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
GaN

GaN について

, 
HEMT

HEMT について

, 
温度依存

温度依存 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM