超伝導島の堆積に対する半導体ナノワイヤのロバストな電子応答の分光学的可視化【JST・京大機械翻訳】

Reiner Jonathan; Nayak Abhay Kumar; Tulchinsky Amit; Steinbok Aviram; Koren Tom; Morali Noam; Batabyal Rajib; Kang Jung-Hyun; Avraham Nurit; Oreg Yuval; Shtrikman Hadas; Beidenkopf Haim

文献

J-GLOBAL ID：202002228293437726 整理番号：20A0230366

超伝導島の堆積に対する半導体ナノワイヤのロバストな電子応答の分光学的可視化【JST・京大機械翻訳】

Spectroscopic Visualization of a Robust Electronic Response of Semiconducting Nanowires to Deposition of Superconducting Islands

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資料名：
巻： 10 号： 1 ページ： 011002 発行年： 2020年
JST資料番号： W5063A ISSN： 2160-3308 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半導体ナノワイヤと超伝導島のハイブリッド系におけるMajorana末端モードの可視化と特性化における著しい進歩に続いて,半導体と超伝導体の間の埋め込み界面における電子構造の研究に多くの注意を払った。その界面の性質とそれを占有する電子波動関数の構造は,その中で誘起される超伝導状態の機能性とトポロジー的性質を決定する。ここでは,ヒ化インジウムナノワイヤ上にその場成長させた超伝導アルミニウム島の分光マッピングを行うことにより,この埋め込み界面を調べた。著者らは,アルミニウム島との直接接触がナノワイヤの化学ポテンシャルの変化をもたらさないので,ハイブリッド系の予想外のロバスト性を見出し,それはそれらの近傍で顕著なバンド曲がりを誘起しない。これはナノワイヤのファセットに結合した表面状態の存在に起因する。このような表面状態は,アルミニウム蒸着前に裸のナノワイヤにも存在し,Fermi準位をピン止めし,その結果,ナノワイヤを表面摂動に対して回復させる。アルミニウム島はさらにCoulombブロッケードギャップとピークを示し,InAs-Al界面における抵抗性トンネル障壁の形成を示した。抽出された界面抵抗率,[数式:原文を参照]は,[数式:原文を参照]のような小さい界面面積を持つ島によるCoulombブロッケード効果の無視できる超伝導を誘起することを可能にする。低エネルギーでは,界面を通して透過率をさらに抑制するポテンシャルエネルギー障壁を同定した。対応する障壁は,表面状態と蓄積層の間の裸の半導体に存在し,電荷中性性を維持するために誘導される。著者らの観察は,InAs-Al界面の抵抗性と超伝導性を近似し,半導体-超伝導体ハイブリッドナノワイヤの化学ポテンシャルを調整する能力の間の微妙な相互作用を明らかにした。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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超伝導体の物性一般 , 統計力学一般,多体問題

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