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J-GLOBAL ID：202002228303514452   整理番号：20A2067568

単一型二次元材料に基づく高性能ピエゾ-フォトトロニク多重接合太陽電池【JST・京大機械翻訳】

High-performance piezo-phototronic multijunction solar cells based on single-type two-dimensional materials

著者 (11件)： Michael Gyan (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Zhang Yaming (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Nie Jiaheng (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Zheng Dongqi (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Hu Gongwei (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Liu Ruhao (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Dan Minjiang (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Li Lijie (Multidisciplinary Nanotechnology Centre, College of Engineering, Swansea University, Swansea, SA1 8EN, UK) ,  Zhang Yan (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China) ,  Zhang Yan (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Zhang Yan (College of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 76  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第3世代半導体(ZnO,GaN,CdS,および単層カルコゲン化物のような)と二次元材料に基づくピエゾトロニクスと圧電フォトトロニクスは,圧電,光子励起,および半導体特性のカップリング特性のためにますます注目を集めている。歪は圧電電荷を誘起するだけでなく,ピエゾトロニクス材料のバンドギャップを調節する。本論文では,単一型二次元圧電半導体材料に基づく圧電-フォトトロニック多重接合太陽電池の構造を提案した。詳細なバランス限界の理論を用いて,この圧電-フォトトロニック多重接合太陽電池の開回路電圧と短絡電流を計算した。結果は,圧電-フォトトロニック多重接合太陽電池の電力変換効率が,温度6000Kの黒体の下で,理論的に33%に達することができ,それは,よく知られた理論的Shockley-Queisser限界より高いことを示した。本研究は,次世代超高性能ピエゾ-フォトトロニクス太陽電池を設計する指針を提供した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光子 ,  *太陽電池 ,  電荷 ,  半導体 ,  励起 ,  短絡電流 ,  硫化カドミウム ,  酸化亜鉛 ,  圧電気 ,  *二次元 ,  窒化ガリウム ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  *多重接合 ,  電力変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ピエゾフォトトロニクス ,  バンドギャップ ,  二次元材料 ,  多重接合太陽電池 ,  詳細釣合限界

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  多重接合 ,  太陽電池