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J-GLOBAL ID：202002228359438609   整理番号：20A2041118

Cu(II)とCu(I)配位重合体のヘテロ構造薄膜における創発界面【JST・京大機械翻訳】

Emergent Interface in Heterostructured Thin Films of Cu(II) and Cu(I) Coordination Polymers

著者 (4件)： Sindhu Pooja (Department of Chemistry, Indian Institute of Science Education and Research (IISER), India) ,  Prasoon Anupam (Department of Chemistry, Indian Institute of Science Education and Research (IISER), India) ,  Rana Shammi (Department of Chemistry, Indian Institute of Science Education and Research (IISER), India) ,  Ballav Nirmalya (Department of Chemistry, Indian Institute of Science Education and Research (IISER), India)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 11  号： 15  ページ： 6242-6248  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,積層法により官能化Au基板上に立方晶Cu-(II)(A型)および正方晶Cu-(I)(B型)配位重合体(CP)の高品質ABおよびBA型ヘテロ構造薄膜を作製した。Cu-(II)-CPの最上部でのCu-(I)-CPの成長の成功は,界面還元反応(IRR)に起因した。特に,AB型およびBA型ヘテロ構造薄膜を横切る電気輸送測定は,逆方向の電流の整流を明らかにした。CPsのヘテロ構造薄膜,同様に酸化物ヘテロ構造の様様な界面に対する巨大な機会を開けると予想されるp-n接合に似ている,Cu-(II)-CPとCu-(I)-CPの良く定義された界面の形成に対する興味深い新しい観察を,著者らは説明した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  *界面 ,  電流 ,  *薄膜 ,  酸化物 ,  エレクトロトランスポート ,  立方晶系 ,  正方晶系 ,  官能化
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  配位重合体 ,  ヘテロ構造 ,  薄膜 ,  創発 ,  界面