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J-GLOBAL ID：202002228370365747   整理番号：20A1099029

光電子デバイスに使用するための化学蒸着した硫化スズアンチモン薄膜の微細構造,光学的および電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Microstructural, Optical, and Electrical Properties of Chemically Deposited Tin Antimony Sulfide Thin Films for Use in Optoelectronic Devices

著者 (3件)： Akata Nwofe Patrick (Faculty of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science, 20641 Yamazaki, Noda, 278-8510, Japan) ,  Akata Nwofe Patrick (Faculty of Science, Department of Industrial Physics, Ebonyi State University, P.M.B 051, Abakaliki, Nigeria) ,  Sugiyama Mutsumi (Faculty of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science, 20641 Yamazaki, Noda, 278-8510, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217  号： 9  ページ： e1900881  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池素子におけるそれらの適合性を確立するために,化学的に堆積した錫硫化アンチモン(TAS)薄膜の特性に及ぼす異なるスズ量の影響を調べた。X線回折研究は,他の二元の存在なしで単相を明らかにした。エネルギー分散X線分光法(EDS)は,X線光電子分光法(XPS)分析により確認されたSnリッチ挙動を示す。結晶子サイズは28.4と40.5nmの間にあり,典型的にはSn量の0.012molまでの増加を示し,次にわずかに減少した。走査電子顕微鏡(SEM)画像は葉状構造を明らかにした。透過率はスズ量の増加とともに減少した。光吸収係数は>10~4cm-1;エネルギーバンドギャップは直接的で,1.2~1.50eVの範囲で変化した。屈折率は2.51~4.11の間にあり,誘電定数は7.49~20.1であった。キャリア移動度は18.5~46.8cm~2V~-1s-1であった。バルク抵抗率は5.71×10~4と1.47×10~5Ωcmの間で変化し,Sn量の≧0.012molでより低い値を得た。Hall効果測定は,TAS薄膜がp型電気伝導率を示すことを示した。これらの値は薄膜太陽電池素子における優れた吸収層要求を満たす。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  屈折率 ,  走査電子顕微鏡 ,  電気伝導率 ,  *薄膜 ,  誘電率 ,  *アンチモン ,  *スズ ,  透過率 ,  *化学蒸着 ,  *薄膜成長 ,  単相 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  硫化アンチモン ,  *硫化スズ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バルク抵抗率 ,  キャリア移動度 ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  単相 ,  硫化すずアンチモン

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光電子デバイス ,  化学蒸着 ,  硫化スズ ,  アンチモン ,  薄膜 ,  微細構造 ,  光学 ,  電気的性質