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J-GLOBAL ID：202002228419387390   整理番号：20A1296117

Xバンド300WGaNパワーデバイス技術【JST・京大機械翻訳】

X-band 300 W GaN inter-matching Field Effect Transistor

著者 (5件)： Yin Jun (中国電子科技集団公司 第十三研究所,河北 石家庄,050051) ,  Yu Ruoqi (中国電子科技集団公司 第十三研究所,河北 石家庄,050051) ,  Liu Ze (中国電子科技集団公司 第十三研究所,河北 石家庄,050051) ,  Wu Jiafeng (中国電子科技集団公司 第十三研究所,河北 石家庄,050051) ,  Duan Xue (中国電子科技集団公司 第十三研究所,河北 石家庄,050051)
資料名： Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao  (Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao)
巻： 18  号： 1  ページ： 89-94  発行年： 2020年 
JST資料番号： C3004A  ISSN： 2095-4980  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 国産窒化ガリウム(GaN)エピタキシャル材料に基づくXバンド300WGaN高効率内整合デバイス技術を紹介した。この技術では、大ゲート幅チップの大信号アクティブモデルとパッケージシェル、ボンディングリード、コンデンサなどの受動モデルを採用して、Xバンド300W内の整合パワーデバイスの設計を行った。4セル整合合成回路を用いて,L-Cネットワークを用いてデバイスインピーダンスを向上し,インピーダンス変換と電力合成をλ/4インピーダンス変換ネットワークにより行い,インピーダンス50Ω整合を実現し,電力分配器と整合容量を高Q値セラミック基板を用いて実現した。シミュレーション結果により,このデバイスは,9.510.5GHzの周波数で,300W以上の出力,9dB以上の電力利得,38.9%以上の電力付加効率を示した。同時に,動作電圧,パルス幅,デューティサイクル,出力パワー,および電力付加効率を研究した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *インピーダンス ,  エピタクシー ,  コンデンサ ,  シミュレーション ,  ネットワーク ,  Q値 ,  窒化ガリウム ,  パワーデバイダ ,  電力付加効率
準シソーラス用語： 高効率 ,  *パワーデバイス ,  大信号 ,  デューティサイクル ,  *Xバンド ,  インピーダンス変換 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： Xバンド