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J-GLOBAL ID：202002228755793672   整理番号：20A2648332

電力変換器の始動方法に用いるSiCパワーデバイスにおける多重短絡特性と信頼性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of multiple short-circuits characteristics and reliability in SiC power devices used for a start-up method of power converters

著者 (3件)： Mannen Tomoyuki (University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Isobe Takanori (University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Wada Keiji (Tokyo Metropolitan University, Tokyo, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 114  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,多重短絡回路に基づく始動方法に用いるSiCパワーデバイスの特性と信頼性を調べた。実用的な電力変換器に採用された平面ゲートとトレンチゲートSiC-MOSFETとSiC-JFETを,10,000サイクル以上の多重短絡回路を用いた始動法の下で試験した。実験結果は,平面ゲートSiC-MOSFETだけが,試験条件下でわずかな劣化で10,000サイクル短絡試験に耐えることができることを示す。その結果,平面ゲートSiC-MOSFETは,その特性により始動方法に適していることが明らかになった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *信頼性 ,  MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  *多重化 ,  *電力変換器
準シソーラス用語： トレンチゲート ,  SiC MOSFET ,  *SiCパワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 非破壊評価 ,  信頼性試験 ,  短絡回路 ,  SiC-MOSFET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電力変換器 ,  始動 ,  SiCパワーデバイス ,  多重 ,  短絡 ,  研究