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J-GLOBAL ID:202002228812137209   整理番号:20A1742285

スルホニル系保護基の量子ドット触媒光還元除去【JST・京大機械翻訳】

Quantum Dot-Catalyzed Photoreductive Removal of Sulfonyl-Based Protecting Groups
著者 (3件):
資料名:
巻: 132  号: 33  ページ: 14195-14199  発行年: 2020年 
JST資料番号: A0396A  ISSN: 0044-8249  CODEN: ANCEAD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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このコミュニケーションは,アリールスルホニル保護フェノールの還元的脱保護のための光触媒としてのCuInS_2/ZnS量子ドット(QDs)の使用を記述する。電子吸引性置換基を有する一連のアリールスルホン酸エステルに対して,対応するフェニルアリールスルホナートに対する脱保護速度は触媒サイクル内の2つの電子移動に対する電気化学ポテンシャルの減少と共に増加する。既知のQD結合基であるカルボン酸を含む基質に対する脱保護の速度は,変換に対する電気化学的ポテンシャルから予測されるものから10倍以上加速され,その結果,準安定電子ドナー-アクセプタ錯体の形成が顕著な速度論的利点を与えることを示唆した。この脱保護法は,一般的なNHBocまたはトルエンスルホニル保護基を乱さず,エストロン基質で実証されたように,このクラスの反応に用いられる多くの化学的還元法に一般的に脆弱である,近接したケトンを乱さない。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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付加反応,脱離反応 
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