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J-GLOBAL ID：202002228824689323   整理番号：20A1125674

[数式:原文を参照]における電気抵抗率の異方性に及ぼす欠陥の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of defects on anisotropy of electrical resistivity in [Formula : see text]

著者 (9件)： Khadzhai G. Ya. (V. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine) ,  Vovk R. V. (V. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine) ,  Goulatis I. L. (V. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine) ,  Serdyuk V. N. (V. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine) ,  Matsepulin A. V. (V. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine) ,  Kamchatnaya S. N. (V. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine) ,  Chroneos A. (Department of Materials, Imperial College, London, UK) ,  Dobrovolskiy O. V. (V. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine) ,  Dobrovolskiy O. V. (Faculty of Physics, University of Vienna, Vienna, Austria)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 31  号： 10  ページ： 7708-7714  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [数式:原文を参照]の電気抵抗の異方性に及ぼす高速電子照射により誘起される欠陥の影響を調べた。放射線照射は,通常の状態における電気抵抗の異方性の減少を引き起こし,それによって,Y,Ba,およびCu原子の形における多数の欠陥の形成による準粒子スペクトルの等方性化に寄与する。また,異方性は,層に沿った,および層を横切る様々な伝導率機構の存在においても表現される。従って,層に沿って存在する理想的なフォノン抵抗の異方性は,温度の上昇と共に増加し,一定値になる。超伝導転移の領域において,微視的不均一性の存在による遷移の広がりが層の面で観察され,試料中の巨視的不均一性の存在により層を横切っていくつかの超伝導転移が明らかになった。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  準粒子 ,  *電気抵抗率 ,  電子照射 ,  フォノン ,  銅 ,  スペクトル ,  放射線照射 ,  等方性 ,  不均一性
準シソーラス用語： 巨視 ,  超伝導転移 ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 数式 ,  参照 ,  電気抵抗率 ,  異方性 ,  欠陥