文献

J-GLOBAL ID：202002229070199262   整理番号：20A1038121

Cr2+:ZnSeナノ結晶可飽和吸収体を持つ全ファイバ受動Qスイッチエルビウム添加レーザ【JST・京大機械翻訳】

All-fiber passively Q-switched erbium-doped laser with Cr²⁺:ZnSe nanocrystals saturable absorber

著者 (9件)： Long Fengqiong ( Institute of Laser & Micro/Nano Engineering, College of Electronics & Information Engineering, Sichuan University, No. 24 South Section 1, Yihuan Road, Chengdu, Sichuan 610064, People’s Republic of China) ,  Ning Shougui ( Institute of Laser & Micro/Nano Engineering, College of Electronics & Information Engineering, Sichuan University, No. 24 South Section 1, Yihuan Road, Chengdu, Sichuan 610064, People’s Republic of China) ,  Zhang Wei ( Institute of Laser & Micro/Nano Engineering, College of Electronics & Information Engineering, Sichuan University, No. 24 South Section 1, Yihuan Road, Chengdu, Sichuan 610064, People’s Republic of China) ,  Wang Shutong ( Institute of Laser & Micro/Nano Engineering, College of Electronics & Information Engineering, Sichuan University, No. 24 South Section 1, Yihuan Road, Chengdu, Sichuan 610064, People’s Republic of China) ,  Yang Huomu ( Institute of Laser & Micro/Nano Engineering, College of Electronics & Information Engineering, Sichuan University, No. 24 South Section 1, Yihuan Road, Chengdu, Sichuan 610064, People’s Republic of China) ,  Zhang Hong ( Institute of Laser & Micro/Nano Engineering, College of Electronics & Information Engineering, Sichuan University, No. 24 South Section 1, Yihuan Road, Chengdu, Sichuan 610064, People’s Republic of China) ,  Feng Guoying ( Institute of Laser & Micro/Nano Engineering, College of Electronics & Information Engineering, Sichuan University, No. 24 South Section 1, Yihuan Road, Chengdu, Sichuan 610064, People’s Republic of China) ,  Zhou Shouhuan ( Institute of Laser & Micro/Nano Engineering, College of Electronics & Information Engineering, Sichuan University, No. 24 South Section 1, Yihuan Road, Chengdu, Sichuan 610064, People’s Republic of China) ,  Zhou Shouhuan ( North China Research Institute of Electro-Optics, Beijing 100015, People’s Republic of China)
資料名： Laser Physics  (Laser Physics)
巻： 30  号： 5  ページ： 055101 (6pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0543A  ISSN： 1054-660X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可飽和吸収体(SAs)としてポリビニルアルコール系Cr2+:ZnSeナノ結晶(NC)を用いた全ファイバQスイッチエルビウムドープレーザを実験的に実証した。Cr2+:ZnSe NCはフェムト秒レーザアブレーションにより作製され,約107nmの平均半径をもつ球状であった。非線形可飽和吸収を20MW cm-2の可飽和光強度と~24%の変調深さで特性化した。エルビウムドープファイバ(EDF)レーザ共振器内部にSAを置くことにより,300mWの最大ポンピングパワーでポンプしたとき,1564nmに中心を持つ34.452kHzの繰返し速度をもつ安定な3.152μsパルスを達成した。最大パルスエネルギーは33nJに達し,信号対雑音比は48dBであった。結果は,Cr2±:ZnSe NCが,安定な全ファイバ受動QスイッチEDFレーザの開発に有望であることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： SN比 ,  レーザ共振器 ,  パルス ,  *セレン化亜鉛 ,  *可飽和吸収体 ,  キャラクタリゼーション ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： 光強度 ,  エルビウムドープファイバ ,  繰返し速度 ,  変調指数 ,  *受動Qスイッチング ,  *可飽和吸収 ,  フェムト秒レーザアブレーション ,  パルスエネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体レーザ  (BD04080W) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnSe ,  ナノ結晶 ,  可飽和吸収体 ,  ファイバ ,  受動Qスイッチ ,  エルビウム ,  レーザ