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J-GLOBAL ID：202002229380324744   整理番号：20A1235871

Ni触媒を用いた電流増強固相堆積によるSiO₂上に直接的に形成された多層グラフェンの低温合成

Low-temperature synthesis of multilayer graphene directly on SiO₂ by current-enhanced solid-phase deposition using Ni catalyst

著者 (3件)： Tamura Tomohiro (Graduate School of Engineering and Science, Shibaura Institute of Technology, Koto, Tokyo, 135-8548, Japan) ,  Ueno Kazuyoshi (Graduate School of Engineering and Science, Shibaura Institute of Technology, Koto, Tokyo, 135-8548, Japan) ,  Ueno Kazuyoshi (Research Center for Green Innovation, Shibaura Institute of Technology, Koto, Tokyo, 135-8548, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 6  ページ： 066501 (6pp)  発行年： 2020年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層グラフェン(MLG)を転送プロセスなしでデバイス上に直接低温で堆積することは,相互接続や電極などのMLGのデバイスアプリケーションを実現するための重要な問題である。400°C付近でのMLGの低温合成を,触媒としてNiを用いた電流増強固相堆積(CE-SPD)により得た。ここで,電流をアニーリング中にC/Ni層に適用した。RamanスペクトルにおけるG/D比により示されるMLGの結晶度は,同じ温度での電流のない場合と比較して,電流を印加することにより約4倍改善された。電流が増加するとG/D比は改善される。電流はJoule熱に加えてMLGの粒成長を高める効果を有し,より低い合成温度をもたらすと考えられる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラフェン ,  多層構造 ,  *化学合成 ,  低温 ,  二酸化ケイ素 ,  固相 ,  *ニッケル触媒 ,  焼なまし ,  相互接続 ,  結晶成長 ,  結晶度 ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： Joule熱 ,  *多層グラフェン ,  *低温合成

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ni ,  触媒 ,  増強 ,  固相 ,  堆積 ,  SiO2 ,  多層グラフェン ,  低温合成