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J-GLOBAL ID：202002229814286875   整理番号：20A2499868

2.8V_-4.5V高電圧電源LiイオンバッテリーベースLSIのための18nA超低電流抵抗レスバンドギャップ基準【JST・京大機械翻訳】

An 18-nA Ultra-Low-Current Resistor-Less Bandgap Reference for 2.8 V-4.5 V High Voltage Supply Li-Ion-Battery-Based LSIs

著者 (2件)： Wang Shimeng (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Mok Philip K. T. (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 67  号： 11  ページ： 2382-2386  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この短報は,中間エネルギー貯蔵としてリチウムイオン(Liイオン)電池を使用するエネルギーハーベスティングシステムに適用することができる,超低電流消費の抵抗のないバンドギャップ基準(BGR)を提示する。システム供給電圧はLiイオン電池の出力電圧によって定義され,それは通常3Vから4.2Vである。この種のシステムで動作するBGR回路は,ナノワット電力を消費しながら,高い電源電圧に耐える必要がある。この短報では,微分対を,電圧重複器として低電力BGR回路で最初に用いて,比例対絶対温度(PTAT)電圧とトリミングネットワークの両方の重複を達成し,それはトリミングネットワークの構造とチップ面積の複雑性を減らすことができる。BGRの全電流消費は2.8V~4.5Vの範囲の異なる供給電圧に対して18nA付近であった。0.35μm CMOSプロセスで製作したBGR回路は,65ppm/°Cの平均温度係数と0.112%/Vの線調整で1.17Vのバンドギャップ電圧を発生する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  *電圧 ,  電池 ,  *電流 ,  電力 ,  ネットワーク ,  *リチウム ,  *LSI【IC】 ,  微分 ,  絶対温度 ,  *バンドギャップ ,  温度係数
準シソーラス用語： 供給電圧 ,  電源電圧 ,  エネルギーハーベスティング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電圧電源 ,  Li ,  LSI ,  レス ,  バンドギャップ基準