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J-GLOBAL ID：202002229847438550   整理番号：20A1070602

超伝導YbA_2Cu_3O_7-δ薄膜の集束またはマスクしたヘリウムイオンビーム照射により作製したピン止め格子における渦整合の角度磁場依存性【JST・京大機械翻訳】

Angular magnetic-field dependence of vortex matching in pinning lattices fabricated by focused or masked helium ion beam irradiation of superconducting YBa₂Cu₃O_7-δ thin films

著者 (9件)： Aichner B. (University of Vienna, Faculty of Physics, Electronic Properties of Materials, Boltzmanngasse 5, A-l 090 Wien, Austria) ,  Mletschnig K. L. (University of Vienna, Faculty of Physics, Electronic Properties of Materials, Boltzmanngasse 5, A-l 090 Wien, Austria) ,  Mueller B. (Physikalisches Institut and Center for Quantum Science (CQ) in LISA+, Universitaet Tuebingen, Auf der Morgenstelle 14, D-72076 Tuebingen, Germany) ,  Karrer M. (Physikalisches Institut and Center for Quantum Science (CQ) in LISA+, Universitaet Tuebingen, Auf der Morgenstelle 14, D-72076 Tuebingen, Germany) ,  Dosmailov M. (Johannes-Kepler-University Linz, Institute of Applied Physics, Altenbergerstrasse 69, A-4040 Linz, Austria) ,  Pedarnig J. D. (Johannes-Kepler-University Linz, Institute of Applied Physics, Altenbergerstrasse 69, A-4040 Linz, Austria) ,  Kleiner R. (Physikalisches Institut and Center for Quantum Science (CQ) in LISA+, Universitaet Tuebingen, Auf der Morgenstelle 14, D-72076 Tuebingen, Germany) ,  Koelle D. (Physikalisches Institut and Center for Quantum Science (CQ) in LISA+, Universitaet Tuebingen, Auf der Morgenstelle 14, D-72076 Tuebingen, Germany) ,  Lang W. (University of Vienna, Faculty of Physics, Electronic Properties of Materials, Boltzmanngasse 5, A-l 090 Wien, Austria)
資料名： Low Temperature Physics  (Low Temperature Physics)
巻： 46  号： 4  ページ： 331-337  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0706A  ISSN： 1063-777X  CODEN： LTPHEG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅酸塩高臨界温度超伝導体YBa_2Cu_3O_7-δ(YBCO)の薄膜における磁場整合性効果の角度依存性を,人工ピン止め景観を用いて研究した。点欠陥の柱は,イオン照射の2つの異なる方法により作製され,ヘリウムイオン顕微鏡において集束30keVイオンビームを走査するか,ステンシルマスクを通してイオン注入器の広視野75keV He+ビームを使用する。イオン-ターゲット相互作用と得られた衝突カスケードのシミュレーションにより,両方の方法により,サブμm間隔をもつ欠陥柱の正方形アレイを生成できることを明らかにした。それらは高密度点欠陥クラスタから成り,これはAbrikosov渦のピン止め中心として作用する。これは,整合場における臨界電流の整合ピークの測定と磁束流抵抗対磁場の関連最小値の測定により検証された。斜め磁場において,整合特徴は柱状欠陥の軸に平行な磁場の成分によって排他的に支配され,磁束が欠陥柱に沿って浸透することを確認した。後者は,薄いYBCO膜における強い固有ピン止めにもかかわらず,ピン止め景観を支配することを実証した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオンビーム ,  *磁場 ,  *集束 ,  相互作用 ,  *超伝導 ,  点欠陥 ,  臨界電流 ,  *ヘリウム ,  磁束 ,  *イオン照射 ,  *ピン止め ,  磁束フロー ,  高温超伝導体 ,  イットリウムバリウム銅酸化物 ,  YBCO薄膜

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (12件)： 伝導 ,  薄膜 ,  集束 ,  マスク ,  ヘリウム ,  イオンビーム照射 ,  作製 ,  ピン止め ,  格子 ,  渦 ,  整合 ,  磁場依存性