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J-GLOBAL ID：202002229886588100   整理番号：20A1073978

新しい高Qオンチップ非ソレノイドMEMSインダクタの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of a Novel High Q On-Chip Non-solenoid MEMS Inductor

著者 (3件)： Zhou Shengrui (Fudan University,School of Microelectronics,Shanghai,China,200433) ,  Yang Yinglin (Fudan University,School of Microelectronics,Shanghai,China,200433) ,  Xu Ling (Fudan University,School of Microelectronics,Shanghai,China,200433)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ICEPT  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,MEMS技術に基づく高Qオンチップインダクタを実現するための新しい非ソレノイド構造を提案した。それは,平行ターンによる抵抗損失を減少させることを目的とし,一方,内部および外部銅線柱の自己インダクタンスおよび同じ流れ方向の間の相互インダクタンスによって,インダクタンスを増加させた。内部および外部銅ワイヤ柱は,逆流れ相互インダクタンス減算なしにできるだけ離れて間隔をあけた。有限要素法を設計インダクタの性能を解析するために適用した。新しいインダクタはQ値(ピークQ=39@2.03GHz)を大幅に改善することができ,従来の8ターンソレノイドインダクタのそれよりほぼ180%高く,同じ特徴サイズで平面スパイラルインダクタのそれよりほぼ450%高い。また,並列接続による低インダクタンス問題を解くためのいくつかの解を上げた。さらに,自己共振周波数は15GHz以上で,インダクタを広い応用範囲に適応させた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インダクタンス ,  有限要素法 ,  自己インダクタンス ,  相互インダクタンス ,  *ソレノイド形コイル ,  並列接続 ,  Q値 ,  金属線 ,  抵抗損 ,  減算 ,  共振周波数 ,  *MEMS
準シソーラス用語： オンチップインダクタ ,  スパイラルインダクタ ,  *オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： NMR一般  (BM07041R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T)

タイトルに関連する用語 (5件)： オンチップ ,  ソレノイド ,  MEMS ,  インダクタ ,  設計