PEDOT:PSS/n-Si接合特性に及ぼすトンネル酸化層/AlO<sub>x</sub>挿入の影響

KARIM E.; RAJIB A.; NASUNO Y.; KUROSU S.; UKAI T.; TOKUDA M.; FUJII Y.; HANAJIRI T.; ISHIKAWA R.; UENO K.; SHIRAI H.

文献

J-GLOBAL ID：202002230077339845 整理番号：20A2241263

PEDOT:PSS/n-Si接合特性に及ぼすトンネル酸化層/AlO_x挿入の影響

Effect of the tunnel oxide/AlO_x stacked hole-selective contacts on the junction properties at PEDOT:PSS/n-type Si interface

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資料名：
巻： 67th ページ： ROMBUNNO.12p-A403-12 発行年： 2020年02月28日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

1導入:Dopant-freeキャリア選択層はSi光起電力の分野で興味を引いている。これまで,スピン被覆キャリア選択層を有するスピンコーティングと化学ミスト堆積(CMD)を用いてPEDOT:PSS/n-Siヘテロ接合太陽電池を調べた。しかし...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

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太陽電池

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PEDOT:PSS/n-Si接合特性に及ぼすトンネル酸化層/AlOx挿入の影響

PEDOT:PSS/n-Si接合特性に及ぼすトンネル酸化層/AlO_x挿入の影響