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J-GLOBAL ID:202002230140246824   整理番号:20A0526147

四元カルコゲン化物ハロゲン化物Ba_3gase_4BrとBa_3InSe_4Br【JST・京大機械翻訳】

Quaternary chalcogenide halides Ba3GaSe4Br and Ba3InSe4Br
著者 (8件):
資料名:
巻: 284  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0505A  ISSN: 0022-4596  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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第四カルコゲン化物ハロゲン化物Ba_3GaSe_4BrとBa_3InSe_4Brを,1073Kで二成分セレン化物と臭化物の反応から調製した。単結晶X線回折分析により,Ba_3GaSe_4BrはBa_3GaS_4Cl型構造(斜方晶系,空間群Pnma,Z=4,a=12.8248(6)Å,b=9.9608(5)Å),c=8.7690(4)Å,Ba_3InSe_4BrはK_3SO_4F型構造(正方晶系,空間群I4/mcm,Z=4,a=8.6888(16)Å,c=14.950(3)Å)を採用した。両構造はBa2+とBr-イオンにより分離された孤立した[MSe4]~5-四面体単位を含む。半径比に基づく構造マップは,一連のカルコゲナイドハロゲン化物Ba_3MCh_4X(M=Al,Ga,In;Ch=S,Se;X=Cl,Br,I)の種々のメンバーに対して遭遇する三つの構造タイプを区別することができる。Ba_3GaSe_4BrおよびBa_3InSe_4Brにおける大きなバンドギャップは,電子構造計算によって明らかにされたように,Ga-SeまたはIn-Se結合および反結合レベルの分離から生じた。測定した光学バンドギャップはBa_3GaSe_4Brで1.7eV,Ba_3InSe_4Brで1.6eVであった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造 
タイトルに関連する用語 (2件):
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