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J-GLOBAL ID：202002230368084346   整理番号：20A1338387

3D NANDフラッシュのための高電圧レギュレータなしの小リップルプログラム電圧発生器【JST・京大機械翻訳】

A Small Ripple Program Voltage Generator Without High-Voltage Regulator for 3D NAND Flash

著者 (4件)： Huang Cece (3D Memory Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Fei (3D Memory Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Qianqian (3D Memory Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Huo Zongliang (3D Memory Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 67  号： 6  ページ： 1049-1053  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プログラム電圧のリップルがプログラムされたセルの閾値電圧の変化を減らすために最小化できる3D NANDフラッシュメモリにおけるプログラム操作のための分離動的クロック電圧スケーリングの方式によるプログラマブル電圧発生器を提示した。提案した方式は出力リップルを劇的に減らし,同時にループ安定性を改善した。さらに,従来の単語線電圧発生器で使用される高電圧レギュレータは,もはや必要でない。提案した発生器を0.18μm三重井戸CMOSプロセスで実装し,有効チップ面積は0.55mm2であった。3D NANDフラッシュの等価負荷条件の下で,測定結果は最大リップル電圧が2.06mVであり,リップルがクロック周波数と出力電圧に依存しないことを示した。さらに,ピーク効率は23V出力電圧で約36%であった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電圧 ,  クロック ,  *電圧発生 ,  *三次元 ,  単語 ,  *電圧調整器
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  閾値電圧 ,  電圧スケーリング ,  クロック周波数 ,  *再生器 ,  チップ面積 ,  出力電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3D ,  NANDフラッシュ ,  電圧レギュレータ ,  電圧発生