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J-GLOBAL ID：202002230393545005   整理番号：20A0299876

表面に敏感なキャラクタリゼーションにより調べた準2D三角格子Cs_2CuCl_4-xBr_xペロブスカイトのサイト選択的占有における電子変調【JST・京大機械翻訳】

Electronic Modulation in Site-Selective Occupation of Quasi-2D Triangular-Lattice Cs₂CuCl_4-xBr_x Perovskite Probed by Surface-Sensitive Characterization

著者 (26件)： Arramel (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Xie Aozhen (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES, Singapore) ,  Xie Aozhen (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Xie Aozhen (Energy Research Institute@NTU (ERI@N), Nanyang Technological University, Singapore) ,  Yin Xinmao (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Yin Xinmao (Singapore Synchrotron Light Source (SSLS), National University of Singapore, Singapore) ,  Tang Chi Sin (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Tang Chi Sin (Singapore Synchrotron Light Source (SSLS), National University of Singapore, Singapore) ,  Tang Chi Sin (NUS Graduate School for Integrative Sciences and Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Fauzi Angga Dito (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Fauzi Angga Dito (Singapore Synchrotron Light Source (SSLS), National University of Singapore, Singapore) ,  Chi Xiao (Singapore Synchrotron Light Source (SSLS), National University of Singapore, Singapore) ,  Chi Xiao (Centre for Advanced 2D Materials and Graphene Research Centre, National University of Singapore, Singapore) ,  Diao Caozheng (Singapore Synchrotron Light Source (SSLS), National University of Singapore, Singapore) ,  Sahdan Muhammad Fauzi (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Birowosuto Muhammad Danang (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Birowosuto Muhammad Danang (Energy Research Institute@NTU (ERI@N), Nanyang Technological University, Singapore) ,  Dang Cuong (CINTRA UMI CNRS/NTU/THALES, Singapore) ,  Dang Cuong (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Dang Cuong (Energy Research Institute@NTU (ERI@N), Nanyang Technological University, Singapore) ,  Rusydi Andrivo (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Rusydi Andrivo (Singapore Synchrotron Light Source (SSLS), National University of Singapore, Singapore) ,  Rusydi Andrivo (NUS Graduate School for Integrative Sciences and Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Rusydi Andrivo (NUSNNI-NanoCore, National University of Singapore, Singapore) ,  Wee Andrew Thye Shen (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Wee Andrew Thye Shen (Centre for Advanced 2D Materials and Graphene Research Centre, National University of Singapore, Singapore)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 3  ページ： 4114-4122  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液ベースの二次元(2D)全無機ペロブスカイトのようなフラストレート磁気システムにおける制御可能な電子操作は,それらの進歩した応用のための電子および磁気デバイスとの統合のための可能なルートを提供する。ここでは,シンクロトロン放射光電子技術の組合せを用いて(0≦x≦4)の準2D全無機ペロブスカイトCs_2CuCl_4-xBr_xの緊急クラスの元素特異的研究を行った。Cu L_2,3エッジの表面及び元素に敏感なX線吸収スペクトルスペクトルは,室温でのハロゲン含有量により大きく影響される強い電子遷移を示した。これは,塩素原子が臭素原子より強い電気陰性特性を持つので,サイト選択的占有がこれらの系列の非占有状態を横切る電子遷移を大きく支配することを意味する。さらに,ハロゲンサイトの意味は,価電子バンド端がBrリッチ化合物のそれよりFermiエネルギー(E_F)に近いClリッチ銅ペロブスカイトの価電子帯に反映される。さらに,混合比とBrリッチ化合物のX線磁気円二色性スペクトルは室温で反強磁性を示した。これらの部位特異的磁気分光結果を密度汎関数理論計算により確認した。これらの溶液ベースおよび低温成長材料における強い電子変調および局所磁気分光法の結果は,エネルギーおよび費用効率の高いペロブスカイト素子に向けての道を開くであろう。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線吸収スペクトル ,  臭素 ,  シンクロトロン放射 ,  反強磁性 ,  価電子バンド ,  *敷地選定 ,  スペクトル ,  混合比 ,  Fermi準位 ,  密度汎関数法 ,  電子遷移 ,  電子技術 ,  磁気 ,  *二次元 ,  電気陰性度

著者キーワード (4件)： X線吸収分光法 ,  準2D銅ペロブスカイト ,  X線円偏光二色性 ,  密度汎関数理論

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： キャラクタリゼーション ,  2D ,  三角格子 ,  ペロブスカイト ,  電子 ,  変調