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J-GLOBAL ID：202002230956422009   整理番号：20A0427184

La_0.67Sr_0.33MnO_3/LaAlO_3/SrTiO_3構造における電流誘起有効磁場【JST・京大機械翻訳】

Current-induced effective magnetic field in La_0.67Sr_0.33MnO₃/LaAlO₃/SrTiO₃ structures

著者 (3件)： Yamanouchi Michihiko (Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita-ku, Sapporo 001-0020, Japan) ,  Oyamada Tatsuro (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, N14W9, Kita-ku, Sapporo 060-0814, Japan) ,  Ohta Hiromichi (Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita-ku, Sapporo 001-0020, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 015129-015129-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面Hall効果(PHE)を用いてLa_0.67Sr_0.33MnO_3(18)/LaAlO_3(0,2,6)/SrTiO_3(LSMO/LAO/STO)構造における電流誘起有効磁場H_effを調べた。すべての構造において,面内電流を適用すると,電流方向に直交する面内H_effを生成し,LSMO/LAO(6)/STO構造に対するH_effの方向は,LSMO/LAO(0,2)/STO構造に対するそれと反対であった。低温では,LSMO/LAO(6)/STO構造に対するスピン-軌道相互作用(SOI)から生じるPHE係数の符号も,LSMO(0,2)/STO構造のそれと反対であり,LSMO層のSOIがLAO(6)/STO構造により修飾されることを示唆した。H_effの方向はLSMO層の界面におけるSOIによって誘起されるものと一致し,したがって,LSMO/LAO(6)/STO構造で検出された反対極性H_effは,LAO(6)/STO構造によって誘発されたSOI変化に関連することができる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  低温 ,  *電流発生 ,  スピン-軌道相互作用 ,  *電流 ,  Hall効果
準シソーラス用語： *有効磁場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電流誘起 ,  有効磁場