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J-GLOBAL ID：202002231016966790   整理番号：20A1208847

窒化物膜の銅への良好な接着を促進するためのアンモニアプラズマ前処理を用いた窒化物膜堆積【JST・京大機械翻訳】

Nitride film deposition using ammonia plasma pre-treatment to promote good adhesion of nitride film to copper

著者 (2件)： Jagadeesha T. (NIT Calicut, Department of mechanical engineering, Calicut 673601,India) ,  Kim Louis (Chartered Semiconductor Manufacturing, Woodlands Industrial Park, Singapore)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 24  号： P2  ページ： 284-289  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去10年にわたり,半導体産業におけるグローバルな市場を捉えるために,高い複雑さとコンパクトなデバイスのデバイスを製造するために,マイクロ製造技術における大量の技術的進歩がある。デバイスサイズが縮小すると,プロセス集積はより複雑になり,誘電体層と金属層の間の相互作用は非常に重要になる。本研究は,銅への高品質窒化物膜の統合を提示した。典型的なPE CVD(プラズマ増強化学蒸着)チャンバーを用いてアンモニアプラズマ前処理により自然酸化銅層を除去し,高品質窒化物膜堆積を銅表面上に追跡した。銅膜は,銅と窒化物の間の界面におけるケイ化銅層の形成によって引き起こされた,暗緑色または暗い金のような様々な程度のヘイズと変色を示した。SiH4ガス流をPE CVDチャンバに導入する前に,安定な窒素プラズマ環境を維持することにより,けい化物形成を防止することができた。結果により,in-stiu前処理と組み合わせた窒化物膜は,銅との統合において優れた膜特性を有することを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  酸化 ,  相互作用 ,  誘電体 ,  金 ,  *銅 ,  *窒化物 ,  珪化作用 ,  気体流 ,  ケイ化物 ,  生産技術 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： ヘイズ ,  チャンバ ,  *窒化膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： PECVD ,  窒化ケイ素 ,  銅配線 ,  窒化物膜 ,  ケイ化銅

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒化物膜 ,  銅 ,  促進 ,  アンモニア ,  プラズマ ,  前処理 ,  堆積