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J-GLOBAL ID：202002231267776922   整理番号：20A0640756

電気めっき法によるGaNへのPt電極の形成と電気特性評価

著者 (4件)： 小原康 (北大 大学院情報科学研究院・量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  島内道人 (北大 大学院情報科学研究院・量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  佐藤威友 (北大 大学院情報科学研究院・量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  本久順一 (北大 大学院情報科学研究院・量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道支部講演予稿集)
巻： 55th-16th  ページ： 33  発行年： 2020年01月11日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【研究背景】結晶成長を利用して得られる縦型半導体ナノワイヤは従来の結晶成長の制約に縛られない低ひずみ・無転移結晶が得られる、また、高集積化可能、大きな無極性の表面が得られるなどの利点からFETや受光素子、発光素子などにおいて大幅な性能向上を...【本文一部表示】

シソーラス用語： *電気めっき ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *白金電極 ,  *ナノワイヤ ,  *Schottky障壁 ,  基板 ,  *電流電圧特性 ,  フォトリソグラフィー ,  パルス法 ,  *電子顕微鏡観察

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気めっき法 ,  GaN ,  Pt ,  電気特性 ,  評価