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J-GLOBAL ID：202002231526207500   整理番号：20A0597940

単層リッチ2D WS_2およびMOS_2デバイスにおける低電力不揮発性メモリスイッチング【JST・京大機械翻訳】

Low power non-volatile memory switching in monolayer-rich 2D WS₂ and MoS₂ devices

著者 (4件)： Mihai C. (National Institute of Materials Physics, Atomistilor 405A, RO-077125 Magurele, Ilfov, Romania) ,  Sava F. (National Institute of Materials Physics, Atomistilor 405A, RO-077125 Magurele, Ilfov, Romania) ,  Galca A. C. (National Institute of Materials Physics, Atomistilor 405A, RO-077125 Magurele, Ilfov, Romania) ,  Velea A. (National Institute of Materials Physics, Atomistilor 405A, RO-077125 Magurele, Ilfov, Romania)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 2  ページ： 025102-025102-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリ抵抗スイッチングにより特性化されたメムリスタは,脳に触発されたコンピューティングアーキテクチャを構築するための有望な候補である。しかし,既存のメムリスティブ装置は,生物学的ニューラルネットワークによって示されるジュール当たりのペタフロップのエネルギー効率から遠い。したがって,超低電力運転の目標を達成するために,メムリスタにおける活性層のための新しい材料を開発することが必要である。ここでは,液体剥離2D WS_2とMoS_2ナノシートから構築された高エネルギー効率のメムリスティブ装置を示し,カスケード遠心分離法を用いて単分子層を濃縮した。電気化学的に不活性な電極を持つ横方向のデバイスをドロップキャスティング法を用いて構築した。素子は顕著な低エネルギー消費で不揮発性抵抗スイッチングを示した。本研究は,エネルギー効率的で高性能な神経形態計算応用の実現に貢献する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単分子層 ,  単一層 ,  キャラクタリゼーション ,  ナノシート ,  非揮発性 ,  活性層 ,  *二次元 ,  計算機アーキテクチャ ,  電気化学 ,  スイッチング ,  エネルギー効率 ,  *不揮発性メモリ ,  ニューラルネットワーク ,  遠心分離
準シソーラス用語： メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層 ,  2D ,  低電力 ,  不揮発性メモリ ,  スイッチング