プリスチン及びBaHfO_3ナノ複合材料GdBa_2Cu_3O_7超伝導薄膜における磁束ピン止めに及ぼす酸素化プロセスの影響【JST・京大機械翻訳】

Popov Ruslan; Ackermann Kai; Rijckaert H.; Haenisch Jens; Van Driessche I.; Holzapfel Bernhard

文献

J-GLOBAL ID：202002231564141125 整理番号：20A1901088

プリスチン及びBaHfO_3ナノ複合材料GdBa_2Cu_3O_7超伝導薄膜における磁束ピン止めに及ぼす酸素化プロセスの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of oxygenation process on flux pinning in pristine and BaHfO₃ nanocomposite GdBa₂Cu₃O₇ superconducting thin films

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資料名：
巻： 1559 号： 1 ページ： 012038 (11pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： W5565A ISSN： 1742-6588 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

PristineとBaHfO_3(BHO)ナノ複合材料GdBa_2Cu_3O_7(GdBCO)超伝導薄膜を,MgO基板上に10Hz周波数のNd:YAGレーザ(λ=355nm)を用いて,800°C,0.4mbarO_2分圧で堆積した。フラックスピン止めと電気輸送特性に対する酸素化プロセスの影響を,450°Cと780°Cの間のアニーリング温度(T_ann)と10と30分の間の保持時間(t_hold)を変えて調べた。不可逆性場は,T_ann=450°Cで高磁場に対して最大のシフトを示し,従って最大磁場J_cを示した。大部分の元のGdBCO膜に対するJ_cの角度依存性はB//cに対して大きなピークを示したが,T_ann=550°Cの試料は90°~120°領域,すなわちB//ab近傍で大きなピークを有した。BHOナノ複合材料では,T_annの減少は磁場J_cを2倍増加させた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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酸化物系超伝導体の物性

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