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J-GLOBAL ID：202002231608909730   整理番号：20A1809029

TEMセル中の材料の存在による電場と磁場の摂動【JST・京大機械翻訳】

Perturbations of Electric and Magnetic Fields Due to the Presence of Materials in TEM Cells

著者 (5件)： Koohestani Mohsen (RF-EMC Research Group, Department of Electrical and Control Engineering, ESEO, Angers, France) ,  Ramdani Mohamed (RF-EMC Research Group, Department of Electrical and Control Engineering, ESEO, Angers, France) ,  Besnier Philippe (Institute of Electronics and Telecommunications of Rennes, Rennes, France) ,  Levant Jean-Luc (Microchip (previously ATMEL), Nantes, France) ,  Perdriau Richard (RF-EMC Research Group, Department of Electrical and Control Engineering, ESEO, Angers, France)
資料名： IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility  (IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility)
巻： 62  号： 4  ページ： 997-1006  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0383A  ISSN： 0018-9375  CODEN： IEMCAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,自由空間,すなわち,代表的な強磁性および誘電材料の存在下で異なる条件で,電池の対応する支配的なモード以下および上の横方向電磁(TEM)セル内の電気(E)および磁気(H)場分布の影響を詳細に検討した。IEC61967-2(閉鎖)および開放TEMセルを用いて,数百MHzからGHzまでのシミュレーションおよび測定を行った。試験位置下の周波数と装置に関わらず,誘電体材料と異なり,その位置におけるE(誘電率に依存して)のノルム(|||)を局所的に変化させるだけであり,セル内の強磁性材料の存在は,||E′′と||H′′分布の両方を変化させ,その周波数より上のセルの全底部で,主に支配的なモード周波数と大域的に下方に,その周波数と全体に,その周波数とは,それぞれ,その周波数と,その周波数より上のセルの全底部で,その位置が,その位置において,強磁性材料の存在が,その位置において,局所的に変化する。これは,強磁性材料による||H∥場の局所歪が,||E′′場,無視周波数,位置,および磁気損失の局所歪みよりも強い影響を持つことを示す。さらに,IEC61967-2と62132-2標準に言及したように,支配的なモード周波数以下のTEMセルを使用する要求は,両方の電磁場不均一性が考慮され,セル内の集積回路パッケージの存在が,免疫試験におけるピンの周りの等価||E∥場レベルで説明される。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  *磁場 ,  集積回路 ,  *電場 ,  電磁場 ,  電池 ,  誘電率 ,  磁気 ,  誘電材料 ,  免疫学的試験 ,  磁損 ,  不均一性 ,  *摂動 ,  ノルム
準シソーラス用語： 局所歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 雑音測定  (ND04030F) ,  導波管,同軸線路  (NC04040N)

タイトルに関連する用語 (4件)： TEMセル ,  電場 ,  磁場 ,  摂動