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J-GLOBAL ID：202002231609197025   整理番号：20A2233831

発光ダイオード用のパターン形成サファイア基板上の選択的マスク形成と窒化ガリウムテンプレート作製【JST・京大機械翻訳】

Selective mask formation and gallium nitride template fabrication on patterned sapphire substrates for light-emitting diodes

著者 (6件)： Cho Seunghee (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, South Korea) ,  Jeong Woo Seop (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, South Korea) ,  Ahn Min Joo (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, South Korea) ,  Shim Kyu-Yeon (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, South Korea) ,  Kang Seong Ho (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, South Korea) ,  Byun Dongjin (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, South Korea)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 9  ページ： 095001-095001-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パターン化サファイア基板は多重面で構成され,テンプレート堆積中に窒化ガリウム(GaN)の望ましくない多結晶成長をもたらす。しかし,良好な結晶品質を有するパターン化サファイア基板とテンプレートは発光ダイオードの光抽出効率を増加させるのに有用である。本研究では,多結晶GaNの成長を抑制するために,パターン化サファイア基板のレンズ上に二酸化ケイ素(SiO_2)マスクを選択的に導入した。SiO_2マスクは,種々の条件下でGaN成長に及ぼすパターン化サファイア基板の負の影響を抑制した。高分解能X線回折分析は,GaNテンプレートがSiO_2マスクの存在下で単結晶として成長することを明らかにした。さらに,多結晶成長の抑制により,GaNテンプレート中に生成した圧縮応力は緩和された。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  単結晶 ,  レンズ ,  二酸化ケイ素 ,  多結晶 ,  多重化 ,  *窒化ガリウム ,  圧縮応力 ,  *パターン形成
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  *サファイア基板 ,  光取出し効率 ,  高分解能X線回折 ,  一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 発光ダイオード ,  パターン形成 ,  サファイア基板 ,  マスク形成 ,  窒化ガリウム ,  テンプレート ,  作製