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J-GLOBAL ID：202002231675373068   整理番号：20A0745993

非共線反強磁性Mn_3Ni_0.35Cu_0.65N膜のエピタキシャル成長と配向依存異常Hall効果【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial growth and orientation-dependent anomalous Hall effect of noncollinear antiferromagnetic Mn₃Ni_0.35Cu_0.65N films

著者 (5件)： Miki R. (Department of Materials Physics, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Zhao K. (Experimentalphysik VI, Center for Electronic Correlations and Magnetism, University of Augsburg, 86159 Augsburg, Germany) ,  Hajiri T. (Department of Materials Physics, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Gegenwart P. (Experimentalphysik VI, Center for Electronic Correlations and Magnetism, University of Augsburg, 86159 Augsburg, Germany) ,  Asano H. (Department of Materials Physics, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 11  ページ： 113907-113907-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非共線反強磁性(AFM)Mn_3Ni_0.35Cu_0.65N膜の成長と非ゼロBerry曲率による(001)と(111)膜の配向依存異常Hall効果(AHE)を報告した。500~°Cでのポストアニーリングは,適切なポストアニーリング条件を用いることが重要であるが,AHE信号を著しく改善できることを見出した。AHEと磁化ループは(111)膜において抗電場で鋭いフリップを示すが,(001)膜は磁場により飽和しにくい。(111)膜の異常Hall伝導率は(001)膜のそれより一桁大きい。本結果は,Mn_3XNシステムにおけるAHEのより良い理解だけでなく,非共線AFMに関連する独特の現象を研究するためのさらなる機会を提供する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 抗電場 ,  *異常Hall効果 ,  磁場 ,  *反強磁性 ,  磁化
準シソーラス用語： Berry曲率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反強磁性 ,  エピタキシャル成長 ,  配向 ,  異常Hall効果