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J-GLOBAL ID：202002231708471200   整理番号：20A0710881

MOCVDにより成長させた低直列抵抗n型AlGaAs/AlAs分布Bragg反射器【JST・京大機械翻訳】

Low series resistance N-type AlGaAs/AlAs distributed Bragg reflector grown by MOCVD

著者 (5件)： Wen Zhenyu (Beijing Univ. of Technology (China)) ,  Li Jianjun (Beijing Univ. of Technology (China)) ,  Cao Hongkang (Beijing Univ. of Technology (China)) ,  Wang Jun (Beijing Univ. of Technology (China)) ,  Wang Xiaoqian (Beijing Univ. of Technology (China))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11440  ページ： 114400A-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型AlGaAsBragg反射器(DBR)は光電子素子型AlGaAsBragg反射器(DBR)の重要な部分であり,発光ダイオードや垂直共振器面発光レーザなどのオプトエレクトロニクス素子の重要な部分であり,直列抵抗の低減は素子の性能に重要である。本論文では,4種類の変調ドープ20サイクルN型Al_0.5Ga_0.5As/AlAs DBRをMOCVDによりN型GaAs基板上に成長させた。白色光反射スペクトル測定結果は,エピタキシャルウエハのピーク波長が赤色光バンドの要求を満たすことを示した。上部および下部電極を4つの構造のそれぞれに対して調製し,IV特性を劈開後に試験した。結果は,1×10~19cm~3のAlGaAs層濃度と5×10~18cm~3のAlAs層ドーピング濃度を有するエピタキシャルウエハの直列抵抗が最小であることを示した。抵抗値は1.36×10~6Ωcm2であった。変調ドーピング法がDBRの直列抵抗を効果的に低減できることを示した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  白色光 ,  変調ドーピング ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  エピタクシー ,  *ヒ化アルミニウム ,  ドーピング ,  反射スペクトル ,  *MOCVD ,  共振器 ,  面発光レーザ ,  赤色光
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  *分布Bragg反射器 ,  *直列抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  成長 ,  直列抵抗 ,  AlGaAs ,  AlAs ,  分布Bragg反射器