増強光学及び材料特性のためのサブ単分子層QDに不均一に結合した多層Stranski-Krastanov QDsの新しいヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】

Gourishetty Raveesh; Panda Debiprasad; Kumar Ravinder; Gazi Sanowar Alam; Chakrabarti Subhananda

文献

J-GLOBAL ID：202002231713932603 整理番号：20A2293243

増強光学及び材料特性のためのサブ単分子層QDに不均一に結合した多層Stranski-Krastanov QDsの新しいヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】

A novel heterostructure with multilayer Stranski-Krastanov QDs heterogeneously coupled to Submonolayer QDs for enhanced optical and material characteristics

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資料名：
巻： 11465 ページ： 114651H-8 発行年： 2020年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本論文では,光と材料特性の両方に関してより良い性能を示すサブ単分子層(SML)QDに不均一に結合した多層Stranski-Krastanov(SK)量子ドット(QD)を有する新しいヘテロ構造を示した。2.5ML InAs/GaAs多層SK QDを,分子ビームエピタクシーシステムを用いて6スタック0.3ML InAs SML QD上に成長させた。多層は,単一,双,三,五,七および10層SK QDを含み,異なる成長機構を,底層からの残留歪に関係なく,各層において類似のドットサイズを維持するために適応させた。光ルミネセンス(PL)および高分解能X線回折(HRXRD)実験を行い,これらの成長したヘテロ構造の光学的および材料特性を解析した。PLの結果から,すべてのヘテロ構造のSK QDの基底状態ピーク波長は,全てのヘテロ構造の均一なドットサイズを確認する,λ>1035nmであった。しかし,SML QDに結合した10のSK QD層を有する試料は,最高のルミネセンス強度,最低の半値全幅(FWHM:λ>50meV),および最も高い活性化エネルギー(Δλ397meV)を有した。PLスペクトルにおけるΔΔ947nmにおけるピークから,SML QDの存在を確認し,SK QDの励起状態へのSML QDの基底状態からのキャリアのトンネリングを観測した。HRXRDの結果は,QDによって経験した圧縮歪が,SK QD層数の増加とともに減少し,それは,材料特性に関してさえ最良のように,SML QDヘテロ構造に結合した10のSK QD層を表すことを示した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜 , 光導波路,光ファイバ,繊維光学 , 半導体のルミネセンス

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