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J-GLOBAL ID：202002231745315550   整理番号：20A1038642

UV及び太陽光照射下の光触媒活性のための噴霧熱分解により調製したZnO-SiO_2ナノ複合材料の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of ZnO-SiO₂ Nanocomposite Materials Prepared by a Spray Pyrolysis for the Photocatalytic Activity under UV and Sunlight Irradiations

著者 (5件)： Kusdianto K (Department of Chemical Engineering, Institut Teknologi Sepuluh Nopember, Sukolilo, Kampus ITS Sukolilo, Surabaya, Indonesia 60111) ,  Widiyastuti W (Department of Chemical Engineering, Institut Teknologi Sepuluh Nopember, Sukolilo, Kampus ITS Sukolilo, Surabaya, Indonesia 60111) ,  Shimada M (Department of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Hiroshima University, 4-1, Kagamiyama 1-chome, Higashi-Hiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan) ,  Qomariyah L (Department of Chemical Engineering, Institut Teknologi Sepuluh Nopember, Sukolilo, Kampus ITS Sukolilo, Surabaya, Indonesia 60111) ,  Winardi S (Department of Chemical Engineering, Institut Teknologi Sepuluh Nopember, Sukolilo, Kampus ITS Sukolilo, Surabaya, Indonesia 60111)
資料名： IOP Conference Series: Materials Science and Engineering  (IOP Conference Series: Materials Science and Engineering)
巻： 778  号： 1  ページ： 012105 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5559A  ISSN： 1757-8981  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOは種々の半導体材料の中で光触媒応用に最も広く使われている。ZnOの光触媒性能は,他の材料によるドーピングによって強化することができた。本研究では,ZnO-SiO_2ナノ複合材料を噴霧熱分解により気相法により作製することに成功した。ZnO-SiO_2ナノ複合材料の光触媒活性に及ぼす300~600°Cの範囲の噴霧管状炉反応器の温度の影響を研究した。1wt%の濃度のコロイド状SiO_2をZnO粒子へのドーパントとして用いた。元のZnOも400°Cの温度で合成した。ZnO-SiO_2ナノ複合材料を製造するための前駆体として酢酸亜鉛と水ガラスを用いた。最初に,水ガラスをゾル-ゲル法により合成し,コロイド状SiO_2ナノ粒子を製造し,次に噴霧反応器に曝す前に酢酸亜鉛と混合した。生成したナノ複合材料を静電沈殿器により収集した。走査電子顕微鏡及びエネルギー分散X線(SEM-EDX),X線回折(XRD)及びFourier変換赤外(FTIR)を用いて生成物を特性化した。一方,UV-Vis分光法を用いて,照射前後のメチレンブルー(MB)濃度を測定した。SEM画像は,粒子のモルフォロジーが織り込まれたナノプレートを有する球状構造であることを示して,粒子の凝集はSiO_2を添加することによって抑制することができた。生成したナノ複合材料の平均粒径は合成温度の上昇と共に減少した。XRD分析は,結晶子サイズが温度の上昇と共に増加することも確認した。最後に,ZnO-SiO_2ナノ複合材料の光触媒活性を,UVおよび太陽光照射下でメチレンブルー分解水溶液を評価することによって計算した。UV光下でのMB分解効率は,太陽光照射下よりもはるかに低かった。また,最良の光触媒性能は,合成温度を400°Cと高く設定し,太陽光照射下で1%wt%のSiO_2濃度で,96%に達したことを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  沈殿 ,  コロイド ,  X線回折分析 ,  *触媒活性 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  *太陽光 ,  ドーパント ,  ゾル-ゲル法 ,  *光触媒 ,  ナノ粒子 ,  窒素複素環化合物 ,  芳香族アミン ,  スルホニウム ,  硫黄複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  第三アミン
準シソーラス用語： *光触媒活性 ,  ナノプレート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  光化学一般  (CB08010U)

物質索引 (1件)： メチレンブルー

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽光 ,  光触媒活性 ,  噴霧熱分解 ,  調製 ,  ZnO ,  ナノ複合材料 ,  作製