文献

J-GLOBAL ID：202002231855738707   整理番号：20A2708540

反応性Ge(001)表面上の孤立したPTCDA分子の微視的ホッピング機構【JST・京大機械翻訳】

Microscopic Hopping Mechanism of an Isolated PTCDA Molecule on a Reactive Ge(001) Surface

著者 (8件)： Shiota Tomoya (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Japan) ,  Shiota Tomoya (Department of Molecular and Material Sciences, Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, Japan) ,  Mizukami Wataru (Department of Material Sciences, Faculty of Engineering Sciences, Kyushu University, Japan) ,  Tochihara Hiroshi (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Japan) ,  Tochihara Hiroshi (Faculty of Engineering Sciences, Kyushu University, Japan) ,  Yagyu Kazuma (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Japan) ,  Suzuki Takayuki (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Japan) ,  Aoki Yuriko (Department of Material Sciences, Faculty of Engineering Sciences, Kyushu University, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 124  号： 45  ページ： 24704-24712  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge(001)表面に吸着した孤立性3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)分子の分子ホッピングを,密度汎関数理論計算と上昇画像nudged弾性バンド法で調べ,そこでは,PTCDA分子が2つの隣接Ge二量体列の間のトラフに沿って移動する。以前に報告された安定状態(SS)構造を確認し,ホッピング中の遷移状態(TS)構造を決定した。TSは,以下の特徴的な特徴を示した:PTCDAは,表面より上でほとんど平坦であり,吸着エネルギー(-1.69eV)は,主にvan der Waals(vdW)相互作用によるものであった。活性化のGibbs自由エネルギーから計算したホッピング速度定数は,PTCDAが500Kでホップする可能性はないが,約700Kでホップするようであることを示した。ホッピング中のGe-O結合距離の変化から,この機構は,協奏的な二量体フリッピングを有する「ワーム/cheetah」様ホッピングと命名された。吸着エネルギーの起源は化学相互作用とSSでのvdW相互作用からホッピング中のTSでのvdW相互作用へ変化した。本研究は,反応性半導体表面に官能基を有する強く吸着した平面分子が,予想よりも移動性が高いという洞察を提供する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  弾性 ,  核間距離 ,  遷移状態 ,  二量体 ,  Gibbs自由エネルギー ,  *ホッピング伝導 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 官能基 ,  速度定数 ,  移動性 ,  コンピュータワーム ,  密度汎関数計算 ,  半導体表面 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： PTCDA

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性 ,  Ge ,  PTCDA ,  分子 ,  ホッピング