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J-GLOBAL ID：202002232109216717   整理番号：20A0385398

オプトエレクトロニクスデバイスのためのスプレー堆積テルル化カドミウム薄膜の探査【JST・京大機械翻訳】

Exploration of the spray deposited Cadmium Telluride thin films for optoelectronic devices

著者 (3件)： Shaikh S.S. (Thin Film Physics Laboratory, Department of Physics, Electronics and Photonics, Rajarshi Shahu Mahavidyalaya, Latur, 413512, Maharashtra, India) ,  Shkir Mohd (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  Masumdar E.U. (Thin Film Physics Laboratory, Department of Physics, Electronics and Photonics, Rajarshi Shahu Mahavidyalaya, Latur, 413512, Maharashtra, India)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 580  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化カドミウムはヘテロ接合太陽電池や種々の他のオプトエレクトロニクスデバイスに用いられる重要なパートナーの一つである。スプレー熱分解法を用いて,300°Cでガラス基板上にCdTe薄膜を堆積した。堆積したままの膜は色が黒く,厚さが497.28nmであった。XRD分析により,調製したままの膜は,結晶粒サイズが12nmの優先反射(111)を持つ立方晶結晶構造の多結晶であることが分かった。堆積したままの膜中のCdとTe元素の存在量をEDX技術を用いて確実にした。SEM顕微鏡写真処理は,コンパクトな形態と30nmの平均粒径を示した。Ramanスペクトルのスペクトルピークは139.30cm-1(1TO)と165.33cm-1(1LO)で見られた。観測された直接バンドギャップは1.52eVであった。室温で計算した電気抵抗率は1.2×10~6Ωcmであることが分かった。TEP研究は堆積したままの膜におけるp型伝導率を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *テルル ,  X線回折 ,  多結晶 ,  立方晶系 ,  スペクトル ,  電気抵抗率 ,  Ramanスペクトル ,  モルフォロジー ,  *カドミウム ,  *薄膜 ,  結晶構造 ,  結晶粒径 ,  *テルル化カドミウム ,  顕微鏡写真
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： テルル化カドミウム(CdTe) ,  噴霧熱分解 ,  構造 ,  形態学 ,  光学 ,  電気

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： オプトエレクトロニクスデバイス ,  スプレー ,  堆積 ,  テルル化カドミウム ,  薄膜 ,  探査