文献

J-GLOBAL ID：202002232531308980   整理番号：20A2479886

半導体高分子膜におけるナノスケール移動度マッピング【JST・京大機械翻訳】

Nanoscale mobility mapping in semiconducting polymer films

著者 (8件)： Alekseev A. (National Research University “MIET”, Moscow, 124498, Russia) ,  Alekseev A. (Kazan Federal University, Kazan, 420008, Russia) ,  Yedrissov A. (NLA, Nazarbayev University, 010000 Nur-Sultan, Kazakhstan) ,  Hedley G.J. (University of Glasgow, Glasgow, G12 8QQ, UK) ,  Ibraikulov O. (Strasbourg University, 67081, Strasbourg, France) ,  Heiser T. (Strasbourg University, 67081, Strasbourg, France) ,  Samuel I.D.W. (University of St Andrews, St Andrews, KY16 9SS, UK) ,  Kharintsev S. (Kazan Federal University, Kazan, 420008, Russia)
資料名： Ultramicroscopy  (Ultramicroscopy)
巻： 218  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0972A  ISSN： 0304-3991  CODEN： ULTRD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子PTB7の薄膜の局所電気特性を,導電性原子間力顕微鏡(C-AFM)によって研究した。純PTB7膜における不均一ナノスケール電流分布を明らかにし,規則化PTB7微結晶の存在と関連付けた。局所I-V曲線の形状を空間電荷制限電流の存在により説明した。実験C-AFM測定からのナノスケール正孔移動度の推定のために,既存の半経験的モデルを修正した。ナノスケール電荷移動度推定の手順を記述し,PTB7膜に適用した。計算した平均C-AFM正孔移動度は,この材料に対して報告された巨視的値と良く一致した。ナノスケールの正孔移動度のマッピングを,記述した手順を用いて達成した。ナノスケール構造に影響される局所移動度値は2倍以上変化し,二乗平均平方根値0.22×10-8m2/(Vs)を持ち,平均正孔移動度からほぼ20%であった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  キャリア移動度 ,  空間電荷制限電流 ,  微結晶 ,  薄膜 ,  *半導体 ,  有機半導体 ,  電流分布 ,  電気特性 ,  *高分子膜 ,  導電性
準シソーラス用語： *ナノスケール ,  正孔移動度 ,  導電性原子間力顕微鏡 ,  PTB7 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電荷キャリア移動度 ,  電流分布 ,  有機半導体 ,  空間電荷制限電流 ,  導電性AFM

分類 (2件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高分子膜 ,  ナノスケール ,  移動度 ,  マッピング