文献

J-GLOBAL ID：202002232698393805   整理番号：20A0912501

STT-MRAM試験のための電磁石を用いた新しいメモリ試験システム【JST・京大機械翻訳】

A novel memory test system with an electromagnet for STT-MRAM testing

著者 (7件)： Tamura R. (Advantest Corp.,,Gunma,Japan) ,  Watanabe N. (Advantest Corp.,,Gunma,Japan) ,  Koike H. (Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Sato H. (Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Ikeda S. (Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Endoh T. (Tohoku University,Sendai,Japan) ,  Sato S. (Toei Scientific Industrial Co., Ltd.,,Miyagi,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： NVMTS  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,初めて,電磁石をメモリ試験システムと300mmウエハプローブと結合したウエハレベルでのST-MRAMのための新しいメモリテストシステムを開発した。開発したメモリ試験システムにおいて,±800mTまでの面外磁場を,2.5%未満の分布を有する300mmウエハにおいて10mm10mm~2に適用することができた。著者らは,電磁石が2Mb ST-MRAMを用いることにより,ST-MRAMに対する磁気的免疫特性を評価するために十分な磁場を適用できることを示した。「0」/「1」状態に対する通過ビット速度の磁場依存性,読出し/書込みshmoo,「0」/「1」保持。すべての特性は,ST-MRAMのための一般的理論によって説明することができた。電磁石による開発されたメモリ試験システムは,ST-MRAM試験の効率向上に寄与し,外部磁場に敏感なST-MRAMの応用領域を広げるのに寄与する,ST-MRAMのための重要な試験ツールである。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  磁場 ,  *電磁石 ,  プローブ ,  効率化 ,  磁気 ,  外部磁場
準シソーラス用語： ビットレート ,  300mmウエハ ,  磁場依存性 ,  読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： STT-MRAM ,  試験 ,  電磁石 ,  試験システム