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J-GLOBAL ID：202002232879294141   整理番号：20A2392506

Fe/MgO界面における垂直磁気異方性とその電場誘起変化に及ぼす挿入層の効果:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

The effect of insertion layer on the perpendicular magnetic anisotropy and its electric-field-induced change at Fe/MgO interface: a first-principles investigation

著者 (4件)： Su Yurong (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, 430074 Wuhan, People’s Republic of China) ,  Zhang Jia (School of Physics and Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, 430074 Wuhan, People’s Republic of China) ,  Hong Jeongmin (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, 430074 Wuhan, People’s Republic of China) ,  You Long (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, 430074 Wuhan, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 32  号： 45  ページ： 454001 (9pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低電力および高密度不揮発性磁気ランダムアクセスメモリの開発は,大きな電圧制御磁気異方性(VCMA)効率を有する磁気トンネル接合における有望な材料の探索を刺激する。本研究では,第一原理計算を用いて,Fe/MgO界面での垂直磁気異方性(PMA)およびVCMAに及ぼす4dおよび5d遷移金属中間層効果を調べた。11mJm-2以上の大きなPMAがPt挿入層を有するFe/MgO界面で見出され,PMAの機構は二次摂動理論に基づいて明らかにされた。さらに,VCMA効率の大きさと符号は,Fe/MgO界面に異なる挿入を導入することによって変化することを見出した。ReとOs中間層は,PMAとVCMA係数の両方のかなりの増加をもたらす。著者らの知見は,PMAとVCMAに関する界面構造の本質的な重要性をさらに強調し,低電力消費スピントロニクスデバイスのための新しい材料プラットフォームを提供するかもしれない。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *磁気異方性 ,  摂動論 ,  *電場 ,  オスミウム ,  *鉄 ,  白金 ,  電圧制御 ,  *酸化マグネシウム ,  *垂直磁気異方性 ,  第一原理
準シソーラス用語： 界面構造 ,  磁気トンネル接合 ,  低電力化 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (8件)： Fe ,  MgO ,  界面 ,  垂直磁気異方性 ,  電場 ,  誘起 ,  第一原理 ,  研究