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J-GLOBAL ID：202002232970570857   整理番号：20A1395289

マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いたW表面上の単一原子領域におけるトンネル障壁電場強度分布の評価

Evaluation of spatial variation of tunneling barrier field strength above a single atom on W surface with a micro-probe hole field ion microscope

著者 (2件)： 太田康 (阪市大院工) ,  小林中 (阪市大院工)
資料名： 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)
巻： 2019  ページ： 3Gp12(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U1883A  ISSN： 2434-8589  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いて,W表面上のステップエッジ領域における電界イオン収率の空間分布を観測し,そのデータを基に同領域におけるトンネル障壁電場の空間分布を導出した。導出したトンネル障壁電場分布は,特に単一W原子直上において局所的に高い電場を示す。局所的な電場分布の拡がりの方向と大きさは,表面原子直上に形成される電界吸着が与える,電場増強効果の規模と範囲を定量的に示す。(著者抄録)

シソーラス用語： マイクロプローブ ,  *電界イオン顕微鏡 ,  *顕微鏡観察 ,  ポテンシャル障壁 ,  *タングステン ,  *電場効果 ,  表面分析 ,  *電界強度 ,  表面ステップ
準シソーラス用語： *電界イオン顕微鏡法 ,  トンネル障壁 ,  *電場分布 ,  電場増強効果 ,  イオン収率

分類 (1件)： 顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電界イオン顕微鏡 ,  単一原子 ,  トンネル障壁 ,  電場強度 ,  分布 ,  評価