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J-GLOBAL ID：202002233024030667   整理番号：20A0478390

NiドーピングはLa_2O_3膜の誘電特性を著しく改善する【JST・京大機械翻訳】

Ni doping significantly improves dielectric properties of La₂O₃ films

著者 (7件)： Li Shuan (Beijing National Laboratory of Molecular Sciences, State Key Laboratory of Rare Earth Materials Chemistry and Applications, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Li Shuan (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing, 100083, China) ,  Lin Youyu (Beijing National Laboratory of Molecular Sciences, State Key Laboratory of Rare Earth Materials Chemistry and Applications, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  wu Yong (Beijing National Laboratory of Molecular Sciences, State Key Laboratory of Rare Earth Materials Chemistry and Applications, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Wu Yanqing (Beijing National Laboratory of Molecular Sciences, State Key Laboratory of Rare Earth Materials Chemistry and Applications, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Li Xingguo (Beijing National Laboratory of Molecular Sciences, State Key Laboratory of Rare Earth Materials Chemistry and Applications, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Tian Wenhuai (Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing, 100083, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 822  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路の急速な発展により,長い課題は,HfO_2を置き換えるための新しいゲート誘電体を探索することである。酸化ランタン(La_2O_3)は,その魅力的な性能により,ますます多くの注目を集めている。合理的なドーピングは,その誘電特性をさらに改善するための非常に効果的な方法である。本研究では,新しい誘電体膜のための反応性共スパッタリングにより,Niを最初にLa_2O_3にドープした。適切な量のNi(~10.04%)ドーピングは,望ましい微細構造,大きなバンドギャップ(5.7eV),適切なバンドオフセット(VB=2.15eV,CB=2.43eV)および優れた電気的性質(k=22.08)を示すLa_2O_3の性能を効果的に改善できることを実証した。さらに,アニーリング温度を変えることにより,NiドープLa_2O_3(LNO)膜の性能を最適化した。結果は,600°CがLNO膜に対して最も適切なアニーリング温度であり,2.06×10~4A/cm2の低い漏れ電流密度をもたらすことを示唆した。著者らの研究は,次世代ゲート誘電体のための希土類酸化物を修飾するための適切な要素を選択するための新しい洞察を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  ゲート絶縁膜 ,  *ニッケル ,  酸化ランタン ,  バンドオフセット ,  スパッタリング ,  希土類元素 ,  酸化物 ,  電気的性質 ,  *誘電性 ,  集積回路 ,  誘電体薄膜 ,  微細構造 ,  バンドギャップ ,  最適化

著者キーワード (5件)： 希土類 ,  高k誘電体 ,  酸化物 ,  ニッケル ,  スパッタリング

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ni ,  ドーピング ,  誘電特性