文献

J-GLOBAL ID：202002233192315613   整理番号：20A2227532

マルチドメインK_0.9Na_0.1NbO_3エピタキシャル薄膜における強誘電相転移【JST・京大機械翻訳】

Ferroelectric phase transitions in multi-domain K_0.9Na_0.1NbO₃ epitaxial thin films

著者 (6件)： Bogula Laura ( Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, 12489, Berlin, Germany) ,  von Helden Leonard ( Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, 12489, Berlin, Germany) ,  Richter Carsten ( Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, 12489, Berlin, Germany) ,  Hanke Michael ( Paul-Drude Institut fuer Festkorperelektronik, 10117, Berlin, Germany) ,  Schwarzkopf Jutta ( Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, 12489, Berlin, Germany) ,  Schmidbauer Martin ( Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, 12489, Berlin, Germany)
資料名： Nano Futures  (Nano Futures)
巻： 4  号： 3  ページ： 035005 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5572A  ISSN： 2399-1984  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 斜方晶系(110)NdScO_3基板上にエピタキシャル成長した歪強誘電性K_0.9Na_0.1NbO_3薄膜における高温相転移を同定し,その場X線回折と圧電応答力顕微鏡により調べた。室温で,薄膜は高度に異方性のミスフィット歪を示し,単斜晶a_1a_2/M_C相の発生を誘起し,高度に規則的で,ヘリングボーン様ドメイン配列の形成でそれ自身を示した。温度の上昇と共に,排他的横方向電気分極を伴う斜方晶系a_1/a_2相への強誘電性から強誘電性への相転移が起こる。180°Cから約260°Cまでの広い温度範囲で,単斜晶a_1a_2/M_C室温相と斜方晶系a_1/a_2高温相の共存が観察された。最後に,より高い温度では,規則的なストライプドメインパターンに配列した斜方晶系a_1/a_2相のみが存在する。散乱X線強度パターンの対応するシミュレーションは,斜方晶系単位格子が小さな面内回転を受けることを示した。これは,斜方晶系単位格子の4つの異なる面内配向と超ドメインの4つの対応する変異体をもたらす。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  高温 ,  *相転移 ,  *薄膜 ,  強誘電性 ,  斜方晶系 ,  単斜晶系 ,  誘電分極 ,  ミスフィット
準シソーラス用語： 圧電応答力顕微鏡 ,  *ドメイン構造 ,  単位格子 ,  高温相 ,  *強誘電相転移 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： マルチドメイン ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  強誘電相転移