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J-GLOBAL ID:202002233242838169   整理番号:20A2314149

非侵襲性表面電位測定によるコロナ放電により影響された表面フラッシュオーバの研究

The Study of Surface Flashover Affected by Corona Discharging via Non-invasive Surface Potential Measurement
著者 (4件):
資料名:
巻: 2020  ページ: ROMBUNNO.VI-4  発行年: 2020年 
JST資料番号: L8409A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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・一貫性のあるフラッシュオーバ中の表面電位を得るために非侵襲性測定を使用し,フラッシュオーバに及ぼすコロナ放電の影響をフラッシュオーバ間隔(FI)と表面電位変化(SPM)のヒストグラムにより分析。
・コロナ放電がない場合には正フラッシュオーバは,短いFIと高いSPMと小さなフラッシュオーバエントロピーを有する負フラッシュオーバよりも激しいことが判明。
・高電圧電極周りの正電荷領域は正フラッシュオーバ中の電極間の距離を短縮することに相当し,負極性フラッシュオーバに及ぼす効果は正反対であることが判明。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
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電流,電圧,電荷の計測法・機器  ,  気体放電 
引用文献 (6件):
タイトルに関連する用語 (5件):
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